[发明专利]一种多晶硅线痕片的制绒方法无效
申请号: | 201210576671.3 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103035780A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 许颖;武涛;赵钊;陈招银;郑炜 | 申请(专利权)人: | 太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所 11210 | 代理人: | 秦月贞 |
地址: | 101102 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 硅线痕片 方法 | ||
1.一种多晶硅线痕片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在8℃~10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液,该混合溶液为制绒液;
(2)将多晶硅线痕片进行装载,然后在制绒液中制绒清洗,清洗1~3分钟;以及
(3)制绒清洗后,将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程,然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干,最后将硅片卸载,得到制绒后的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅线痕片的制绒方法,其特征在于:所述步骤(1)中,硝酸的浓度为33%~35%,氢氟酸的浓度为5%~6%。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅线痕片的制绒方法,其特征在于:所述步骤(3)中,所述碱洗溶液为:浓度为8%的氢氧化钠溶液。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅线痕片的制绒方法,其特征在于:所述步骤(3)中,所述去离子清洗液为:浓度为5%的盐酸溶液。
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