[发明专利]一种多晶硅线痕片的制绒方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种多晶硅线痕片的制绒方法。 

背景技术

在能源与环境日趋紧张的今天，光伏行业得到了飞速的发展。为了节省企业的经济成本，增加企业的经济效益，降低生产成本、提高太阳能电池的效率已经成为众多企业所研究的重点。如图1所示，硅片经常容易出现线痕，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，硅片质量的好坏直接关系到电池片的制造和加工，早期电池片生产所用到的硅片较厚，如今在硅片的生产过程中比较容易出现线痕问题，我们可以使用抛光研磨去除硅片线痕，光伏行业的硅片越来越薄，在原料紧缺的情况下，不可能把原料浪费在研磨损失上，而且增加工艺会增加成本，研磨工艺在太阳能电池行业是不适用的。如图2所示，在现有制绒方法中，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，线痕的存在还会影响电池片的生产工艺，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面，线痕可能会影响腐蚀，增加电池片制备的困难并且影响转换效率，同时从组件的角度讲，影响组件外观，长期使用易造成破片或功率衰减，大大降低了产品的使用性，造成资源的浪费，给人们带来不便。 

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅线痕片的制绒方法，以克服目前现有方法中存在的资源浪费，经济成本高以及长期使用会造成破片或功率减退等不足。 

本发明的目的是通过以下技术方案来实现： 

一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤：

（1）在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；

（2）将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；以及

（3）制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。

进一步的，所述步骤（1）中，硝酸的浓度为33%～35%，氢氟酸的浓度为5%～6%。 

优选的，所述步骤（3）中，所述碱洗溶液为：浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤（3）中，所述去离子清洗液为：浓度为5%的盐酸溶液。 

本发明的有益效果为：本发明的工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力，可用于大规模的生产。 

附图说明

下面根据附图对本发明作进一步详细说明。 

图1是在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片形貌图； 

图2是现有制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图；

图3是本发明制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图。

具体实施方式

本实施所述的一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤： 

（1）在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液，其中，硝酸的浓度为33%～35%，氢氟酸的浓度为5%～6%；

（2）将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；以及

（3）制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。

所述步骤（1）中，硝酸的浓度为33%～35%，氢氟酸的浓度为5%～6%；所述步骤（3）中，所述碱洗溶液为：浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤（3）中，所述去离子清洗液为：浓度为5%的盐酸溶液。 

使用本发明的制绒方法处理后，如图3所示，硅片表面多晶硅绒面均匀，外观良好，有利于提高太阳能电池的效率，与现有的处理方法相比，本发明在制绒槽中提高了反应溶液中硝酸的浓度，使得硅片表面的线痕很好的抛光，在相同条件下，又获得了1～3μm且均匀的绒面，而且腐蚀掉的多晶硅的厚度为6～10μm；另外本发明使用抛光和制绒一步处理，缩短了制绒反应的时间，操作过程简单，不仅节省了资源，而且保证了硅片的使用质量，给人们带来方便，很具有实用性。 

虽然以上仅描述了本发明的具体实施方式范例，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更或修改均落入本发明的保护范围。