[发明专利]具有内埋元件的电路板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210577546.4 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103906371B 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 许诗滨 申请(专利权)人: 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司
主分类号: H05K3/32 分类号: H05K3/32;H05K1/18
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 代理人: 哈达
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 具有 元件 电路板 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板制作领域,尤其涉及一种具有内埋元件的电路板及其制作方法。

背景技术

印刷电路板因具有装配密度高等优点而得到了广泛的应用。关于电路板的应用请参见文献Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, A. Akahoshi, H. Mukoh, A. Wajima, M. Res. Lab, High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880,IEEE Trans. on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, 1992, 15(4): 1418-1425。

现有技术的多层电路板为了要达到轻薄短小的目的,并增加产品的电性品质水平,各制造商开始致力于将原来焊接于多层电路板表面的电子元件改为内埋于多层电路板内部,以此来增加电路板表面的布线面积从而缩小电路板尺寸并减少其重量和厚度。该电子元件可以为主动或被动元件,如芯片、电阻和电容等。

已知一种具有内埋元件的电路板的制造方法如下:在一线路板上形成通孔;在该线路板的一侧形成支撑材料层,该支撑材料层覆盖该通孔的开口,该支撑材料为绝缘材料或导电金属材料;将电子元件设置于该通孔内并固定于该支撑材料层上;在该线路板相对于该支撑材料层的另一侧压合第一胶体层,使该电子元件粘接于该第一胶体层上;去除该支撑材料层,并在该线路板相对于该第一胶体层的一侧压合第二胶体层,使电子元件的另一端粘接于该第二胶体层;分别在该第一胶体层和第二胶体层上压合第一铜箔层和第二铜箔层;将该第一铜箔层和第二铜箔层分别制作形成第一导电线路层和第二导电线路层,并通过激光蚀孔工艺和电镀工艺形成多个导电盲孔,以使该第一导电线路层与该电子元件的电极通过该多个导电孔电导通;最后,在该第一导电线路层和第二导电线路层上形成防焊层,从而形成具有内埋元件的电路板。

在上述具有内埋元件的电路板的制造方法中,电子元件先固定在支撑材料层上埋入再形成导电盲孔进行电性连接,导电盲孔和电子元件之间易造成对位精度不佳,降低产品良率。尤其是在大板面生产时更严重,电子元件置放时,需高精度的置放机,生产成本较高。

发明内容

因此,有必要提供一种产品良率高且成本低的具有内埋元件的电路板及其制作方法。

一种制作具有内埋元件的电路板的方法,包括步骤:提供双面线路板,该双面线路板包括基底层、第一导电线路层及第二导电线路层,该基底层包括相对的第一表面和第二表面,该第一导电线路层和第二导电线路层分别设置于该第一表面和第二表面,该第二导电线路层包括多个电性连接垫,该基底层内形成有多个第一导电孔,每个电性连接垫与一个第一导电孔的一端电连接,该多个第一导电孔的相对的另一端显露于该第一表面,该双面线路板开设贯穿该基底层且位于该多个第一导电孔间的填充通孔;提供多个导电膏,使该多个导电膏对应连接于该多个第一导电孔;提供电子元件,并将电子元件设置于该多个导电膏上以电连接于该多个导电膏;及在该第一导电线路层一侧和第二导电线路层一侧分别依次形成绝缘层和导电线路层,使邻近于该第一导电线路层的绝缘层覆盖该电子元件,邻近于该第二导电线路层的绝缘层覆盖该第二导电线路层,且通过压合作用充满该填充通孔以及该电子元件与该基底层之间的空隙。

一种具有内埋元件的电路板,包括双面线路板、电子元件、多个导电膏、邻近于该第一导电线路层依次设置的绝缘层和导电线路层及邻近于该第二导电线路层依次设置的绝缘层和导电线路层。该双面线路板包括基底层、第一导电线路层及第二导电线路层,该基底层包括相对的第一表面和第二表面,该第一导电线路层和第二导电线路层分别设置于该第一表面和第二表面,该第二导电线路层包括多个电性连接垫,该基底层内形成有多个第一导电孔,每个电性连接垫与一个第一导电孔的一端电连接,该多个第一导电孔的相对的另一端显露于该第一表面,该双面线路板具有贯穿该基底层。该多个导电膏对应连接于该多个第一导电孔,该电子元件粘接并电连接于该多个导电膏。邻近于该第一导电线路层的绝缘层覆盖该电子元件,邻近于该第二导电线路层的绝缘层覆盖该第二导电线路层且充满该填充通孔以及该电子元件与该基底层之间的空隙。

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