[发明专利]用于SRAM单元结构的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

至少一个SRAM单元，形成于半导体衬底的一部分中，包括：

第一反相器，在其输出处具有数据节点，所述第一反相器进一步包括耦合在第一正电源CVdd节点与所述数据节点之间的第一上拉器件和耦合在第一接地电源CVss节点与所述数据节点之间的第一下拉器件，并且所述第一上拉器件和所述第一下拉器件的公共栅电极耦合至数据条节点；

第二反相器，在其输出处具有所述数据条节点，所述第二反相器进一步包括耦合在第二正电源CVdd与所述数据条节点之间的第二上拉器件和耦合在第二接地电源CVss节点与所述数据条节点之间的第二下拉器件，并且耦合至所述数据节点的所述第二上拉器件和所述第二下拉器件的公共栅电极；

第一传输门，耦合在位线节点与所述数据节点之间；

第二传输门，耦合在位线条节点与所述数据条节点之间；

第一层接触件，形成于所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点、所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述位线节点、所述位线条节点、所述数据节点和所述数据条节点处；以及

第二层接触件，形成于所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点、所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述位线节点和所述位线条节点处的每一个所述第一层接触件上；

其中，形成在所述数据节点和所述数据条节点处的所述第一层接触件不具有形成在其上的第二层接触件。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个SRAM单元具有单元边界，并且沿着所述单元边界布置用于所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点以及所述位线节点和所述位线条节点的所述第一层接触件。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，沿着所述单元边界形成用于所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述第二CVdd节点和所述第二CVdd节点以及所述位线节点和所述位线条节点的所述第一层接触件上所形成的所述第二层接触件。

4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括被形成为基本与所述第二层接触件共面的栅极接触件，所述栅极接触件被形成为将所述数据节点处的所述第一层接触件耦合至所述第一反相器的所述公共栅电极、将所述数据条节点处的所述第一层接触件耦合至所述第二反相器的所述公共栅电极，并且所述栅极接触件形成在所述第一传输门和所述第二传输门的栅极处。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，在所述数据节点和所述数据条节点处形成的所述栅极接触件是对接接触件。

6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述栅极接触件具有选自基本上由圆形、矩形、椭圆形及它们的组合所组成的组的形状。

7.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：

第一金属层，位于所述至少一个SRAM单元上方并且形成字线，所述字线使用第一层通孔和栅极接触件耦合至所述第一传输门和所述第二传输门的栅极端子；以及

第二金属层，位于所述至少一个SRAM单元上方并且形成用于位线、位线条、正电源电压CVdd和接地电源电压CVss的导体，并且每个导体都通过第二层通孔、所述第一金属层的部分和耦合至所述第二层接触件的第一金属通孔而耦合至包括所述位线节点、所述位线条节点、所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点以及所述第一CVss节点和所述第二CVss节点的对应节点。

8.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：

第一金属层，位于所述至少一个SRAM单元上方并且形成用于位线、位线条、正电源电压CVdd和接地电源电压CVss的导体，并且所述第一金属层中的每个导体都通过第一层通孔耦合至包括所述位线节点、所述位线条节点、所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点以及所述第一CVss节点和所述第二CVss节点的对应节点，从而到达在所述第一层接触件上方形成的所述第二层接触件；以及

第二金属层，位于所述SRAM单元上方并且形成用于字线的导体，所述第二金属层的字线耦合到第二层通孔、所述第一金属层的部分以及耦合至用于所述第一传输门和所述第二传输门的栅极接触件的第一金属通孔。