[发明专利]一种改进型大尺寸样品硒化处理装置有效
申请号: | 201210581601.7 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904154A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 李弢;华志强;吴云翼;郜健 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘茵 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进型 尺寸 样品 处理 装置 | ||
1.一种改进型大尺寸样品硒化处理装置,其特征在于,其包括外壳(1),原料容器(2),原料加热装置(3),基片支撑台(4),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6),基片加热器热电偶(7)和温度显示及控制装置;
该外壳(1)为中空密闭容器;
该原料容器(2)设置在外壳(1)内,其中盛装原料硒;原料容器(2)内具有原料加热装置(3),该原料加热装置(3)上设置原料加热装置热电偶(6);
该基片支撑台(4)放置于外壳(1)内,其上设置基片加热器(5),基片加热器(5)上设置基片加热器热电偶(7),基片放置在该基片加热器(5)上;
该原料加热装置(3),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6)和基片加热器热电偶(7)分别与温度显示及控制装置连接。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述外壳(1)的侧壁上设置补偿加热装置(8),该外壳(1)的内壁上设置补偿加热热电偶(9),两者分别连接所述温度显示及控制装置。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述基片加热器(5)的外径为50~250cm。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述外壳(1)为圆筒形,所述基片支撑台(4)为圆柱形,放置在该外壳(1)的底部;在外壳(1)的内壁和基片支撑台(4)的外侧壁之间形成环形槽作为原料容器(2),该原料加热装置(3)环设在该环形槽底部,在原料加热装置(3)上对称设置至少一对原料加热装置热电偶(6)。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述外壳(1)由不锈钢、石墨或石英材料制成。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述基片为单晶氧化物基片、Si基片、陶瓷材料基片或半导体材料基片。
7.一种蒸汽法制备硫族、磷族元素化合物薄膜的装置,其特征在于,该装置采用权利要求1-6中任一项所述的结构,其中,所述原料容器(2)中盛装砷、碲或锑原料。
8.权利要求1-6中任一项所述的装置在制备CuInGaSe薄膜太阳能电池材料或FeSe超导材料中的应用。
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