[发明专利]一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺在审
申请号: | 201210582218.3 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103021994A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 王虎;谌世广;刘卫东;李涛涛;马利 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
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地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 aaqfn 二次 塑封 优化 封装 及其 制作 工艺 | ||
1.一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件,其特征在于:主要由蚀刻后铜引线框架(1)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、塑封料(5)和(8)、蚀刻凹槽(6)、锡球(7)和(10)、镍钯金电镀层(9)组成;所述的蚀刻后铜引线框架(1)是半蚀刻处理,其通过粘片胶(2)粘接芯片(3),芯片(3)通过键合线(4)与蚀刻后铜引线框架(1)的引脚相连,所述蚀刻后铜引线框架(1)、蚀刻后铜引线框架(1)的引脚、芯片(3)和键合线(4)由塑封体(5)包围连接;所述蚀刻凹槽(6)由蚀刻后铜引线框架(1)底部蚀刻后形成,所述锡球(7)由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成,蚀刻凹槽(6)与锡球(7)由塑封体(8)包围连接;所述锡球(7)的横截面由磨屑形成,锡球(7)的横截面有镍钯金电镀层(9),所述锡球(10)浸锡回流后在镍钯金电镀层(9)上形成。
2.一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件的制作工艺,其特征在于:其按照以下步骤进行:
第一步、铜引线框架蚀刻:将铜引线框架进行半蚀刻,依据芯片pad分布结构,通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺,在铜板正面蚀刻出载体,互连线,I/O Pad,确定I/O Pad大小,脚间距和它们各自的位置;
第二步、晶圆减薄和划片:在晶圆正面贴上胶膜,然后在专用减薄机上进行减薄达到工艺要求;减薄完的晶圆清洗经检验合格后,去掉正面胶膜,在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片,将晶圆划成单个IC芯片;
第三步、上芯:使用专用上料夹,用点胶头均匀的将粘片胶(2)(导电胶或绝缘胶)点在蚀刻后铜引线框架(1)的PAD上,吸嘴将承片台上的芯片(3)吸起放置到已点好粘片胶(2)的蚀刻后铜引线框架(1)上,粘片后框架自动送到弹夹中;
第四步、压焊:在专用压焊机上,键合线(4)采用金线或铜线,通过球焊把芯片(3)上的焊盘(PAD)和蚀刻后铜引线框架(1)的引脚相连,形成了电路的电源和信号通道;
第五步、一次塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中,用塑封体(5)对压焊后的产品进行包封,随后进行固化;
第六步、框架背面蚀刻:对蚀刻后铜引线框架(1)进行背面蚀刻,将选定的露铜部分蚀刻掉,进行引脚分离;
第七步、刷锡膏回流:在蚀刻后引脚底部进行钢网刷锡膏,形成的锡膏进行回流焊后形成锡球(7);
第八步、二次塑封:用塑封体(8)完全包封锡球(7)与底部蚀刻凹槽(6),随后进行固化;
第九步、磨屑部分塑封体、锡球电镀镍钯金、二次植球:采用磨屑的方法将二次塑封体(8)去掉一部分,露出锡球(7)横截面,然后在锡球(7)横截面上电镀镍钯金形成镍钯金电镀层(9),再通过浸锡回流在镍钯金电镀层(9)上植入锡球(10)。
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