[发明专利]一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及于半导体封装技术领域，具体是一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺。

背景技术

随着技术的不断发展，电子封装不但要提供芯片的保护，同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。

AAQFN封装在成熟的蚀刻工艺技术基础上，从框架设计、材料选择、焊盘结构优化等方面入手，建立完善的封装工艺技术，不断调整优化，突破窄间距（0.4mm）、超薄型（0.5mm 以下）封装技术难点，实现面内I/O 布局列阵AAQFN 封装，形成成套封装工艺技术，在一定的成本下满足了不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。

    以往的AAQFN封装工艺主要是在框架蚀刻凹槽刷Solder mask，然后在引脚植入锡球，而AAQFN二次塑封与二次植球优化在此基础上代替蚀刻凹槽刷Solder mask，采用二次塑封，二次塑封时不用贴膜，将锡球全部封住，然后采用磨屑的方法将二次塑封体去掉一部分，露出锡球横截面，随后在锡球表面电镀镍钯金，再进行二次植球。从而在低成本要求下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求，具有明显的技术优势。

发明内容

针对上述封装技术存在的问题，本发明提供了一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺，其在以往AAQFN封装技术的基础上，对产品进行二次塑封与二次植球优化，促进了电子封装技术的发展。

本发明的技术方案是：一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件，主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。所述的蚀刻后铜引线框架是半蚀刻处理，其通过粘片胶粘接芯片，芯片通过键合线与蚀刻后铜引线框架的引脚相连，所述蚀刻后铜引线框架、蚀刻后铜引线框架的引脚、芯片和键合线由塑封体包围连接；所述蚀刻凹槽由蚀刻后铜引线框架底部蚀刻后形成，所述锡球由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成，蚀刻凹槽与锡球由塑封体包围连接；所述锡球的横截面由磨屑形成，锡球的横截面有镍钯金电镀层，所述锡球浸锡回流后在镍钯金电镀层上形成。

所述制作工艺主要按照以下步骤进行：铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、一次塑封、框架背面蚀刻、刷锡膏回流、二次塑封、磨屑部分塑封体、锡球电镀镍钯金、二次植球。

AAQFN二次塑封与二次植球优化在以往技术的基础上进一步改进，无需Solder mask底部填充，二次塑封时不用贴膜，节省了材料的消耗，从而就节约了封装成本；AAQFN二次塑封与二次植球优化通过二次塑封将球全部封住，然后采用磨屑的方法将二次塑封体去掉一部分，露出锡球横截面，在锡表面电镀镍钯金，进行二次植球，可提高导电性、润滑性、耐热性、和表面美观，具有明显的技术优势，能够实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。本发明为无铅、无卤素的环保型先进封装技术，可应用于更大范围的移动、消费电子产品上，满足移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器，如PDA、3G手机、MP3、MP4、MP5等超薄型电子产品发展的需要，是迅速成长起来的一种新型封装技术。

说明书附图

图1 引线框架剖面图；

图2 上芯后产品剖面图；

图3 压焊后产品剖面图；

图4 一次塑封后产品剖面图；

图5框架背面蚀刻后产品剖面图；

图6锡膏回流焊后产品剖面图；

图7二次塑封后产品剖面图；

图8 磨屑后产品剖面图；

图9 锡球截面电镀后产品剖面图；

图10 二次植球后产品剖面图。

图中、1为蚀刻后铜引线框架、2为粘片胶、3为芯片、4为键合线、5和8为塑封体、6为蚀刻凹槽、7和10为锡球、9为镍钯金电镀层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步详细叙述。