[发明专利]检测RAM生产缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测RAM生产缺陷的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1）对待测试RAM所有地址各位写入0；

在以下的步骤中以地址为操作对象，且此后各步骤在当前地址完成当前步骤的测试后进入下一地址的测试，直到遍历整个RAM后进入下一个步骤的测试，直至完成RAM的测试：

2）读取RAM当前地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1，然后读取该地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0，然后读取该地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1；

3）读取RAM当前地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0，读取该地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1。

2.根据权利要求1所述的检测RAM生产缺陷的方法，其特征在于，步骤1）到步骤3）对RAM的操作顺序均是从低地址到高地址。

3.根据权利要求2所述的检测RAM生产缺陷的方法，其特征在于，在步骤3）后还包括从RAM高地址到低地址操作的如下步骤：

4）读RAM当前地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0；

5）读RAM当前地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1；然后读该地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0，再将按照1、0的序列组成的数据写入该地址，读该地址，判断CFst的<1 | 1>缺陷，若存在该缺陷，报错，否则，将按照0、1的序列组成的数据写入该地址，然后顺序读该地址，判断CFst的<0 | 0>缺陷，若存在该缺陷，报错，否则，完成该地址测试。

4.根据权利要求1所述的检测RAM生产缺陷的方法，其特征在于，在检测完当前RAM，匹配下一RAM，设置测试的宽度和深度。