[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201210583349.3 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103901675B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 吴玲;沈柏平 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 马晓亚
地址: 361101 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:

第一透明导电层和第二透明导电层,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层彼此绝缘;

多个子像素;

所述第一透明导电层包括第一类子像素组的像素电极和第二类子像素组的公共电极;

所述第二透明导电层包括第二类子像素组的像素电极和第一类子像素组的公共电极;

多个所述第一类子像素组与多个所述第二类子像素组在所述阵列基板上;其中,所述第一类子像素组与所述第二类子像素组相邻设置,且所有所述第一类子像素组互不相邻,所有所述第二类子像素组互不相邻;

所述子像素组包括至少两个相邻设置的子像素;

所述第一透明电极层的公共电极直接通过所述第一透明电极层互相连通,所述第二透明电极层的公共电极直接通过所述第二透明电极层互相连通。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一类子像素组为像素电极位于第一透明导电层,公共电极位于第二透明导电层的子像素组;

所述第二类子像素组为像素位于第二透明导电层,公共电极位于第一透明导电层的子像素组。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,还包括显示区;所述第一透明导电层的公共电极图案与所述第二透明导电层的公共电极图案在所述阵列基板的显示区外形成电连接。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层的公共电极图案与所述第二透明导电层的公共电极图案在所述阵列基板边缘形成电连接,或通过基板外部电路形成电连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层的像素电极相互绝缘地设置;

所述第二透明导电层的像素电极相互绝缘地设置。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述基板适用于IPS模式液晶显示模式。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层和第二透明导电层之间设置有绝缘层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述像素电极和公共电极之间的电场周期性反转。

9.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

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