[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板和液晶显示装置。

背景技术

IPS模式液晶显示装置通过在两层基板中注入液晶，通过阵列基板上的像素电极和公共电极形成的电场改变液晶分子的旋转方向从而调节可以通过的光线量，实现对图像的显示。

在液晶的制造过程中，不可避免地会在液晶中残留可移动的杂质离子，在液晶被施加电场时，杂质离子会受到电极上与其相反的电荷的吸引而向电极移动，如果在阵列基板的电极上持续残留相同极性的电压（也即直流偏置电压（DC bias）），例如，对像素施加正负交流电压时，若正电压高于负电压，则形成正性偏置电压，该偏置电压会吸引液晶盒内的杂质离子形成内部电场。该电场会导致液晶分子不能以期望的速度回复初始的位置，由此影响液晶的排列和穿透度，改变液晶的T-V曲线，使得即使完全不施加电压时，液晶的排列会与原始排列状态不同，进而导致希望消失的图像仍然残留在液晶显示装置上，形成残影（Image Sticking），影响液晶显示装置的性能。

现有技术中，利用液晶分子在完全相反的电场作用下排列方式不变的特点，通常通过在数据线上施加交流数据信号并配合栅线的时序控制使得阵列基板上同一子像素的电极电压周期性地极性反转，从而使得杂质离子随着电极极性的翻转往复移动，进而避免杂质离子聚集导致残影现象出现。现有的极性反转技术包括面极性反转、行极性反转和点极性反转。

其中，面极性反转为整个阵列基板的像素电极极性在某一周期均为正，在下一周期均为负。行极性反转为在某一周期奇数行和偶数行的像素电极极性相反，在下一个周期奇偶行的像素电极的极性互换。点极性反转为在某一周期内相邻子像素的像素电极极性相反在下一个周期相邻子像素的像素电极极性互换。

其中，使用点极性技术的薄膜晶体管阵列基板性能最好，但是，其时序控制以及数据驱动极为复杂，制造工艺难度较大，功耗很高。

发明内容

本发明的目的在于提出一种薄膜晶体管阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置，在减少或消除残影现象的同时，降低功耗简化制造工艺。

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层彼此绝缘；

多个子像素；

所述第一透明导电层包括第一类子像素组的像素电极和第二类子像素组的公共电极；

所述第二透明导电层包括第二类子像素组的像素电极和第一类子像素组的公共电极；

所述第一类子像素组与第二类子像素组在所述阵列基板上相邻设置，且第一类子像素组相互之间不相邻，第二类子像素组相互之间不相邻。

优选地，所述第一类子像素组为像素电极位于第一透明导电层，公共电极位于第二透明导电层的子像素组；

所述第二类子像素组为像素位于第二透明导电层，公共电极位于第一透明导电层的子像素组。

优选地，所述子像素组由独立的子像素组成；或者

所述子像素组包括至少两个相邻设置的子像素。

优选地，还包括显示区；所述第一透明导电层的公共电极图案与所述第二透明导电层的公共电极图案在所述阵列基板的显示区外形成电连接。

优选地，所述第一透明导电层的公共电极图案与所述第二透明导电层的公共电极图案在所述阵列基板边缘形成电连接，或通过基板外部电路形成电连接。

优选地，所述第一透明导电层的像素电极相互绝缘地设置；

所述第二透明导电层的像素电极相互绝缘地设置。

优选地，所述基板适用于共面开关模式（IPS）液晶显示装置。

优选地，所述第一透明导电层和第二透明导电层之间设置有绝缘层。

优选地，所述像素电极和公共电极之间的电场周期性反转。

本发明还公开了一种液晶显示装置，其包括如上所述的任意一种薄膜晶体管阵列基板。

本发明通过改变阵列基板像素电极和公共电极的设置方式，使得相邻的子像素的像素电极和公共电极颠倒设置，使得在对数据线施加相同极性信号，也即像素电极被施加直流偏置电压的情况下，仍能使得相邻子像素的电场方向相反，通过框反转的驱动方式既可以实现点极性反转的效果，可以消除或者减少残影现象发生。

附图说明

图1是本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的截面示意图；

图2a是本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一透明导电层的电极分布示意图；