[发明专利]半导体晶片镀总线以及形成方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，包括：

与锯路相邻的管芯；

沿所述管芯的周边的边封，其中所述边封包括形成在所述管芯的最后互连层中的第一导电层；

焊盘，形成为包括所述最后互连层和所述最后互连层上的金属沉积层的组中的一个的一部分；

在所述锯路内的镀总线；以及

以一方式连接到所述焊盘且连接到所述镀总线的迹线，所述方式包括包含以下项的组中的一个：（1）在所述边封上方、与所述边封绝缘、并且形成在所述金属沉积层中；以及（2）穿过所述边封并且与所述边封绝缘。

2.如权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述焊盘还包括在所述焊盘的所述金属沉积层之上的镀层。

3.如权利要求2所述的半导体晶片，其中，所述镀层包括镍。

4.如权利要求2所述的半导体晶片，其中，所述迹线通过包括在所述边封上方、与所述边封绝缘、并且形成为所述金属沉积层的一部分的方式连接到所述焊盘并且连接到所述镀总线。

5.如权利要求4所述的半导体晶片，其中，所述最后互连层包括铜。

6.如权利要求5所述的半导体晶片，其中，所述焊盘是所述最后互连层和所述金属沉积层二者的一部分并且包括所述最后金属互连层的第一部分。

7.如权利要求6所述的半导体晶片，其中，所述焊盘具有所述最后金属互连层的一部分和所述金属沉积层的一部分，其中所述最后金属互连层的所述部分横向延伸超过所述金属沉积层的所述部分。

8.如权利要求7所述的半导体晶片，其中，所述迹线耦接到所述最后金属互连层的所述部分。

9.如权利要求2所述的半导体晶片，其中，所述迹线以包括穿过所述边封并且与所述边封绝缘的方式连接到所述焊盘并且连接到所述镀总线。

10.如权利要求9所述的半导体晶片，其中，所述边封包括来自包括所述最后互连层的多个金属沉积层中的每个的一部分。

11.如权利要求10所述的半导体晶片，其中，所述迹线包括附加金属互连层的一部分，其中所述附加金属互连层的该部分在朝向所述管芯的第一侧横向延伸经过所述边封并且在朝向所述镀总线的第二侧横向延伸经过所述边封。

12.如权利要求11所述的半导体晶片，其中，所述迹线还包括连接到所述最后互连层的第一部分的第一通路和连接到所述最后互连层的第二部分的第二通路，其中所述最后互连层的所述第一部分连接到所述焊盘，所述最后互连层的所述第二部分连接到所述镀总线。

13.一种形成半导体管芯的方法，包括：

利用多个互连层在半导体晶片上形成所述半导体管芯；

使用所述多个互连层形成在所述管芯周围的边封；

使用包括所述多个互连层中的金属沉积层和最后互连层的组中的一个形成所述管芯上的焊盘；

在锯路内形成镀总线，其中所述边封与所述锯路相邻；以及

利用包括所述多个互连层中的一个和所述金属沉积层的组中的一个形成迹线以将所述焊盘耦接到所述镀总线。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：

镀所述焊盘。

15.如权利要求14所述的方法，其中，响应于施加电压到所述镀总线进行所述镀。

16.如权利要求15所述的方法，还包括在所述镀之后沿所述锯路的一侧将所述边封和所述镀总线物理分离，由此使所述迹线中断并且由此将所述焊盘和所述镀总线去耦接。

17.如权利要求16所述的方法，其中，形成所述迹线包括使用所述金属沉积层从而所述迹线在所述边封上方经过并且与所述边封绝缘。

18.如权利要求16所述的方法，其中，形成所述迹线包括使用所述多个互连层中的一个从而所述迹线穿过所述边封并且与所述边封绝缘。

19.一种在具有多个半导体管芯的晶片上镀半导体管芯的焊盘的方法，包括：

使用多个互连层形成所述管芯；

在锯路内形成镀总线，其中所述管芯与所述锯路相邻；

在所述管芯上形成焊盘；

形成迹线以将所述焊盘电耦接到所述镀总线；以及

通过将所述晶片浸在镀溶液中并且施加电压给所述镀总线，镀所述焊盘。

20.如权利要求19所述的方法，还包括：

利用所述多个互连层沿所述管芯的周边在所述焊盘和所述锯路之间形成边封；以及

使所述迹线中断以将所述焊盘和所述镀总线电去耦接。