[发明专利]电子组件封装的制法有效
申请号: | 201210585109.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103903990A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 陈昌甫;赖文隆;陈君豪 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 封装 制法 | ||
1.一种电子组件封装的制法,其包括:
提供一承载板,其一表面上形成有第一金属层;
在该第一金属层上形成第一介电层;
在该第一介电层上形成第二金属层,并图案化该第二金属层,以露出该第一介电层;
在该第一介电层中形成有至少一贯穿该第一介电层的开口,以外露部分该第一金属层;
在该开口中设置至少一电子组件;
在该第一介电层上与该电子组件上形成第二介电层;
在该第二介电层中形成有多个贯穿该第二介电层且外露该电子组件的盲孔;
在该第二介电层上与所述盲孔中形成电性连接该电子组件的线路层;以及
移除该承载板。
2.根据权利要求1所述的电子组件封装的制法,其特征在于,还包括在设置该电子组件后,移除该第二金属层。
3.根据权利要求1所述的电子组件封装的制法,其特征在于,在形成该第二介电层后,还包括在该第二介电层上形成第三金属层,该盲孔还贯穿该第三金属层,并在该盲孔中形成金属材料且图案化该第三金属层,以构成该线路层。
4.根据权利要求1所述的电子组件封装的制法,其特征在于,在形成该第一介电层之前,还包括在该第一金属层上形成多个电性连接垫,并在该第一金属层与电性连接垫上形成该第一介电层。
5.根据权利要求4所述的电子组件封装的制法,其特征在于,该电子组件设于该电性连接垫上。
6.根据权利要求1所述的电子组件封装的制法,其特征在于,形成该盲孔还包括形成多个贯穿该第一介电层与该第二介电层且对应该电性连接垫的通孔,且该线路层还形成于该通孔中。
7.一种电子组件封装的制法,其包括:
提供一承载板,其一表面上形成有第一金属层;
在该第一金属层上形成第一介电层;
在该第一介电层上形成第二金属层,并图案化该第二金属层,以露出该第一介电层;
在该第一介电层中形成有至少一贯穿该第一介电层的开口,以外露部分该第一金属层;
在该开口中设置至少一电子组件;
在该第一介电层与该电子组件上形成第二介电层;
移除该承载板;
在该第二介电层中形成多个贯穿该第二介电层且外露该电子组件的第一盲孔;以及
在该第二介电层上与所述第一盲孔中形成电性连接该电子组件的第一线路层,并图案化该第一金属层以构成第二线路层。
8.根据权利要求7所述的电子组件封装的制法,其特征在于,还包括在设置该电子组件后,移除该第二金属层。
9.根据权利要求7所述的电子组件封装的制法,其特征在于,图案化后的该第二金属层是形成第三线路层,且该第二介电层还形成于该第三线路层上。
10.根据权利要求9所述的电子组件封装的制法,其特征在于,该第一盲孔还外露部分该第三线路层,且该第一线路层还电性连接该第三线路层。
11.根据权利要求7所述的电子组件封装的制法,其特征在于,在形成该第二介电层后,还包括在该第二介电层上形成第三金属层,该第一盲孔还贯穿该第三金属层,并在该第一盲孔中形成金属材料且图案化该第三金属层,以构成该第一线路层。
12.根据权利要求7所述的电子组件封装的制法,其特征在于,该制法还包括形成贯穿该第一介电层与第二介电层且电性连接该第一线路层与第二线路层的导电通孔。
13.根据权利要求9所述的电子组件封装的制法,在移除该承载板之后,还形成多个贯穿该第一介电层与第一金属层且外露该第三线路层的第二盲孔,且该第二线路层还形成于该第二盲孔中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造