[发明专利]一种太阳能电池片镀膜的方法有效
申请号: | 201210585663.5 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103022259A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 谢余才;陈刚刚 | 申请(专利权)人: | 宁夏银星能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/44;C23C16/34 |
代理公司: | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人: | 赵明辉 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 镀膜 方法 | ||
1.一种太阳能电池片镀膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管;
(2)抽真空,至炉管内压力达到35毫托;
(3)通入氨气,使炉管内压力达到1600毫托,温度控制在425℃,放电200秒;
(4)抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气,再抽真空,重复两次后恢复常压;
(5)抽真空,至压力达到35毫托时,通入氨气,使得炉管内压力达到1600毫托,温度控制在425℃,预沉积150秒,再通入硅烷,至压力稳定在1600毫托,持续放电700秒;
(6)停止通气,抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气,再抽真空,重复两次后恢复常压;
(7)卸料即可。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池片镀膜的方法,其特征在于:控制反应温度保持在420-430℃,硅烷氨气比为800∶7000,反应压力控制在1600毫托-1800毫托。
3.如权利要求1或2所述的一种太阳能电池片镀膜的方法,其特征在于:放电功率调整到6300-6500w,脉冲开关比例调整为4∶45-47。
4.如权利要求1或2所述的一种太阳能电池片镀膜的方法,其特征在于:通入氮气6000sccm,时间20秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的