[发明专利]一种太阳能电池片镀膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池片镀膜的方法。

背景技术

太阳能是一种重要的清洁能源，太阳能电池片是把太阳能转化成电能的装置，太阳能电池片生产工艺比较复杂，为了减少太阳光的反射，通常采取的方法是在太阳能电池片上镀减反射膜。通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)技术在太阳能电池片的表面表面沉积一层氮化硅膜，工作原理是高频电流使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，化学活性很强的等离子很容易发生反应，在基片上形成所需要的薄膜。能够很好的减少太阳光在硅片表面的反射，降低反射率。

但是现有的工艺不能够满足21片石墨舟的要求，会出现色差、发红片、尤其在炉口表现的尤为严重，最终会影响电池的转化效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池片镀膜的方法，能够使得膜色符合工艺要求，基本杜绝发红片现象。

一种太阳能电池片镀膜的方法，其特别之处在于，包括如下步骤：

(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；

(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；

(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；

(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；

(6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(7)卸料即可。

控制反应温度保持在420-430℃，硅烷氨气比为800∶7000，反应压力控制在1600毫托-1800毫托。

放电功率调整到6300-6500w，脉冲开关比例调整为4∶45-47。

通入氮气6000sccm，时间20秒。

采用本发明的方法后，可以很好的解决PECVD工序中产生的红片，色差片问题，使得膜色符合工艺要求。

具体实施方式

实施例1：

一种太阳能电池片镀膜的方法，包括如下步骤：

(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管(管式PECVD镀膜设备)；

(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；

(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；

(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；

(6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(7)卸料即可。

反应中控制反应温度保持在425℃，硅烷氨气比为800∶7000，反应压力控制在1600毫托，放电功率调整到6500w，脉冲开关比例调整为4∶47。

最终形成的氮化硅薄膜的厚度在84nm左右，片间均匀性±4％，批间均匀性±4％，没有出现色差、发红片现象。

实施例2：

一种太阳能电池片镀膜的方法，包括如下步骤：

(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；

(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；

(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；

(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；

(6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重复两次后恢复常压；

(7)卸料即可。

反应中控制反应温度保持在425℃，硅烷氨气比为800∶7000，反应压力控制在1600毫托，放电功率调整到6300w，脉冲开关比例调整为4∶45。

最终形成的氮化硅膜厚在82nm左右，片间均匀性±4％，批间均匀性±4％，没有出现色差、发红片现象。