[发明专利]小线宽沟槽图形的制备方法

权利要求书

1.一种小线宽沟槽图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S101，提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶；

步骤S102，第一次光刻，形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形，旁瓣图形的线宽小于光刻设备分辨率；其中，该第一次光刻的掩膜版为衰减性相移掩膜版，通过常规方法调节光刻机的数值孔径和相干系数以及根据不同光刻胶或不同掩膜图形调节曝光能量获得旁瓣图形；

步骤S103，在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布第二光刻胶；

步骤S104，对该第二光刻胶进行第二次光刻，产生定义第一次光刻后的旁瓣图形的区域；

步骤S105，采用自对准技术，将旁瓣图形经刻蚀传递至目标材料层，去除第一光刻胶、第二光刻胶和第一底部抗反射层，最终在目标材料层上形成具有小线宽的沟槽图形。

2.根据权利要求1所述的小线宽沟槽图形的制备方法，其特征在于：步骤S102中第一次光刻的光刻机数值孔径为0.5-1.2，相干系数为0.3-0.9，步骤S102还包括调节曝光能量和焦距，使掩膜版图形经曝光后获得旁瓣图形。

3.根据权利要求1所述的小线宽沟槽图形的制备方法，其特征在于：步骤S104中还包括通过焦距-能量矩阵实验确定曝光条件，使第二次光刻后不产生旁瓣图形。

4.根据权利要求3所述的小线宽沟槽图形的制备方法，其特征在于：该第二次光刻的掩膜版为衰减性相移掩膜版，且该掩模版图形与第一次光刻的掩膜版图形完全相同，而相应图形的透光率不完全相同。