[发明专利]一种液晶显示面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶面板的制造方法。 

背景技术

对液晶面板节能、精细化、大型化以及低成本一直是各家公司追求的方向，而具有优良开关特性的TFT就是解决问题的一个关键点。 

LTPS-TFT LCD（Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器）具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点成为实现节能、精细化、大型化的热门选择，但是p-Si TFT目前存在两个问题，一是TFT的关态电流(即漏电流)较大；二是高迁移率p-Si材料低温大面积制备较困难，工艺上存在一定的难度。 

IGZO（indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物）是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20~30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。 

但目前的IGZO-TFT技术仍然采用传统的TFT制造工艺，比如共面型TFT或底栅结构TFT。为了保护IGZO，使得在后续的刻蚀中不会造成对IGZO特性的影响，有时还需要形成一层阻挡层来保护IGZO层，如此一般5到7mask成为主流，但是这样就造成成本的上升。而且现有的共面型TFT或底栅结构TFT等技术由于寄生电容Cgd比较大。 

图1所示为共面型TFT，其结构为都是衬底基板21、位于衬底基板21上相应的栅极22以及覆盖相应的栅极22的栅极绝缘层23，该共面型TFT需要进行3次光刻工艺处理，分别形成栅极22、源极24和漏极25、氧化物半导体层 26共三层的图案，一般考虑在形成源漏极的光刻工艺过程中，需要栅极22与源漏极24、25交叠区宽度d做的稍大一点，以此保证交叠区面积，保证TFT特性。但Cgd较大就需要形成存储电容来平衡Cgd造成的关态回踢电压，减小Cgd成为解决问题的一种最直接也最有效的方法。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种减小回踢电压、减小存储电容，提高开口率的液晶显示面板及其制造方法。 

本发明提供一种液晶显示面板，包括：位于衬底基板上的IGZO层、位于IGZO层上的源、漏极和像素电极、位于源极和漏极之上且位于源极和漏极之间的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层之上的栅极和与栅极连接的扫描线、位于栅极上的Al₂O₃绝缘层、位于Al₂O₃绝缘层之上的绝缘膜、以及位于最顶层的数据线。 

本发明又提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：在衬底基板上形成IGZO层；在形成上述图案的基础上，先在IGZO层覆盖栅极绝缘层，再在栅极绝缘层上形成栅极，然后通过光刻工艺形成栅极绝缘层和栅极的叠层图案；在形成上述图案的基础上，覆盖一层Al膜层，然后氧气环境中高温退火，形成Al₂O₃绝缘层、源极、漏极、和像素电极；在形成上述结构的基础上，覆盖绝缘膜层，然后开设接触孔；在形成上述图案的基础上，形成数据线。 

本发明采用自对齐顶栅结构的IGZO-TFT，并在形成IGZO-TFT的过程中，通过铺设Al膜层，经过在氧气环境中的高温反应使部分IGZO层反应形成源极和漏极，并同时将Al膜层反应成Al₂O₃绝缘层，一方面使液晶面板的寄生电容Cgd只有常规面板的1/5左右，减小回踢电压，以此减小存储电容，提高开口率；另一方面，将TFT面板的光罩数降低至4张，节约了成本。 

附图说明

图1所示为现有技术的液晶显示面板的结构示意图； 

图2所示为本发明液晶显示面板的结构示意图； 

图2A所示为图2在A-A`方向的剖视图； 

图3所示为图2所示液晶显示面板的制造步骤之一的示意图； 

图3A所示为图3在A-A`方向的剖视图； 

图4所示为图2所示液晶显示面板的制造步骤之二的示意图； 

图4A所示为图4在A-A`方向的剖视图； 

图5A所示为图2所示液晶显示面板的制造步骤之三的示意图； 

图5B所示为图2所示液晶显示面板的制造步骤之三的另一示意图； 

图6所示为图2所示液晶显示面板的制造步骤之四的示意图；