[发明专利]一种低功耗SRAM型FPGA的设计方法

权利要求书

1.一种低功耗SRAM型FPGA的设计方法，其特征是通过电平转换器将FPGA的二维逻辑块阵列的工作电压最少降低至近阈值，二维逻辑块阵列中的查找表LUT采用施密特触发型的SRAM，可编程D触发器采用亚阈值D锁存器，查找表LUT和可编程D触发器在所述降低的低电源电压下工作，使得FPGA在超低电源电压下正常工作。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗SRAM型FPGA的设计方法，其特征是降低二维逻辑块阵列的逻辑单元的工作电压，降低至亚阈值电压。

3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗SRAM型FPGA的设计方法，其特征是所述施密特触发型的SRAM由10个晶体管，一条字线WL还有两条位线BL/BR组成，10个晶体管中，晶体管PL-NL1-NL2-NFL形成一个施密特触发反相器，晶体管PR-NR1-NR2-NFR形成另外一个施密特触发反相器，晶体管NFL和NFR分别作为两个施密特触发反相器的正反馈管，根据输入转换方向提高施密特触发反相器的转换电压，晶体管AXL和AXR为两个施密特触发反相器连接字线和位线的传输管。

4.根据权利要求1或2所述的一种低功耗SRAM型FPGA的设计方法，其特征是所述亚阈值D锁存器为由七个反相器I1~I7和四个CMOS传输门T1~T4组成，所述CMOS传输门均由一个NMOS管和一个PMOS管组成，两个晶体管的源极相连并作为传输门的输入端，漏极相连并作为传输门的输出端，所述输入端和输出端可以对调，两个晶体管的栅极分别作为传输门的控制极。