[发明专利]IGBT模块的安装方法无效
| 申请号： | 201210591199.0 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103915350A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李君伟 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 模块 安装 方法 | ||
1.一种IGBT模块的安装方法，其特征在于，包括：
s1、清理IGBT模块和散热片的接触面；
s2、选择一预定的安装位置；
s3、在所述IGBT模块和散热片之间涂敷导热脂；
s4、安装紧固件，所有的用于将IGBT模块固定的紧固件需用一致的力矩进行紧固，紧固件的紧固按照对角线次序进行。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述散热片的接触面的粗糙度不超过10um。
3.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述散热片的接触面的平整度不超过30μm。
4.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述散热片上安装一个IGBT模块，该IGBT模块的安装位置位于所述散热片的正中心。
5.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述导热脂涂敷于所述IGBT模块和散热片的接触面，所述导热脂的厚度控制在50um到110um之间。
6.根据权利要求5所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述导热脂的厚度控制在90um到110um之间。
7.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述导热脂的涂敷量满足：导热脂能够从IGBT模块的接触面四周溢出。
8.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述紧固件的安装分三步进行，时间间隔为15~30分钟。
9.根据权利要求1所述的IGBT模块的安装方法，其特征在于，所述散热片上安装多个IGBT模块，所述预定位置为按照所述IGBT模块的散热需求设计，该散热需求应满足模块间的热量分布一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安永电电气有限责任公司，未经西安永电电气有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210591199.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
