[发明专利]IGBT模块的安装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种IGBT模块的安装方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

目前，IGBT已广泛应用于国民经济的各行业中，但是在实际IGBT模块安装过程中可能会对模块造成损坏。不正确的安装方式可能直接导致IGBT模块内部子单元损坏，以及造成模块绝缘失效。为了解决上述问题我们制定了规范科学的IGBT模块安装技术，来确保模块的正确使用。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的IGBT模块的安装方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种IGBT模块的安装方法，解决了大功率IGBT模块在安装过程中造成的损伤，可以更好的提高模块的可靠性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种IGBT模块的安装方法，包括：

s1、清理IGBT模块和散热片的接触面；

s2、选择一预定的安装位置；

s3、在所述IGBT模块和散热片之间涂敷导热脂；

s4、安装紧固件，所有的用于将IGBT模块固定的紧固件需用一致的力矩进行紧固，紧固件的紧固按照对角线次序进行。

作为本发明的进一步改进，所述散热片的接触面的粗糙度不超过10um。

作为本发明的进一步改进，所述散热片的接触面的平整度不超过30μm。

作为本发明的进一步改进，所述散热片上安装一个IGBT模块，该IGBT模块的安装位置位于所述散热片的正中心。

作为本发明的进一步改进，所述导热脂涂敷于所述IGBT模块和散热片的接触面，所述导热脂的厚度控制在50um到110um之间。

作为本发明的进一步改进，所述导热脂的厚度控制在90um到110um之间。

作为本发明的进一步改进，所述导热脂的涂敷量满足：导热脂能够从IGBT模块的接触面四周溢出。

作为本发明的进一步改进，所述紧固件的安装分三步进行，时间间隔为15~30分钟。

作为本发明的进一步改进，所述散热片上安装多个IGBT模块，所述预定位置为按照所述IGBT模块的散热需求设计，该散热需求应满足模块间的热量分布一致。

与现有技术相比，本发明通过合理的安装方式，解决了大功率IGBT模块在安装过程中造成的损伤，可以更好的提高模块的可靠性以及提高整个应用系统的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明具体实施方式中IGBT模块安装的流程方框图；

图2为本发明具体实施方式中螺栓的紧固次序（140mm*70mm模块）；

图3为本发明具体实施方式中螺栓的紧固次序（140mm*130mm模块）；

图4为本发明具体实施方式中螺栓的紧固次序（140mm*190mm模块）。

具体实施方式

经验表明，功率半导体模块的早期失效主要与不正确的安装有关，同时不正确的安装会导致不必要的过高的结温，这样会大大减少模块的工作寿命。所以模块的正确安装至关重要。

有鉴于此，本发明实施例公开了一种IGBT模块的安装方法，包括：

s1、清理IGBT模块和散热片的接触面；

s2、选择一预定的安装位置；

s3、在所述IGBT模块和散热片之间涂敷导热脂；

s4、安装紧固件，所有的用于将IGBT模块固定的紧固件需用一致的力矩进行紧固，紧固件的紧固按照对角线次序进行。

上述解决了大功率IGBT模块在安装过程中造成的损伤，可以更好的提高模块的可靠性。