[发明专利]一种芍药切花槽式无土栽培方法

说明书

技术领域

本发明属于植物栽培领域，涉及一种芍药切花槽式无土栽培方法。

背景技术

芍药(Paeonia lactiflora Pall.)为我国传统名花，栽培历史悠久，其花型丰富，色泽艳丽，不仅深受我国消费者的喜爱，同时在世界商品花卉领域里也占有一席之地。

目前芍药栽培多以露地为主，花期集中于5-6月，难以满足其他季节用花需求，此外，大田地栽容易引发芍药土传病害，其切花品质易受影响。采用园土盆栽的方式也有研究，该模式因盆器容积有限，故芍药根系生长空间受到限制，从而导致芍药根系生长不良，进而影响植株生长，最终导致开花率严重降低。因此，为实现芍药切花产业化生产，其栽培模式有待进一步探索和研究。

槽式无土栽培模式在其他花卉生产及农作物栽培领域中已有应用，目前常见的种植槽主要可分为三类：一类是开挖简易地下土槽，内铺聚乙烯塑料布，将土壤和基质隔离；一类是采用砖砌槽，内铺聚乙烯塑料布；另一类是采用PVC或泡沫板等材质进一步加工制造而成的种植槽。简易地下土槽和砖砌槽都采用聚乙烯塑料布隔离基质和土壤，此种植槽不利于基质和土壤之间进行气体和水分交换，基质的透气性和沥水性难以保证，而芍药为肉质根、怕积水，采用塑料布隔离基质和土壤的方法并不适合于芍药栽培。砖砌槽不仅增加成本，且一般为地上垒槽，无需使用时依然占用一定的空间和场地。采用PVC或泡沫板等其他材质加工而成的种植槽，底部一般需要机器打孔，板材之间需要粘合剂加工，做工更加精细，故而成本价格更高，并且此类材质不利于基质的透气、沥水，因此，此类种植槽也不适合芍药切花栽培生产。另外，目前为止，还没有芍药切花槽式栽培相配套的环境调控和施肥方法。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种建造简便易行、成本低廉的针对芍药切花生产的槽式无土栽培方法。

本发明提供的芍药切花槽式无土栽培方法，包括如下步骤：

大棚内开挖下凹式土槽作为种植槽，对槽底及侧面进行消毒处理，槽底与侧面铺无纺布，槽底无纺布上铺陶粒作为沥水层，槽内装填无土栽培基质；

2）秋季槽内单行种植切花芍药，使其在自然环境下接受低温，待平均日气温降至0℃以下的1-2月，用草帘覆盖植株，以免植株受冻害；室外平均气温达到0℃-5℃，用薄膜覆盖温室，进行日光加温；覆膜后5-7天，撤去覆盖草帘；之后每隔3-4天早晚通风，将温室温度控制在22℃-25℃；至室外平均气温达到10℃-15℃，每日进行通风处理；待室外温度达到22-25℃时，拆除温室薄膜；

3）配套施肥方法：于芍药萌芽开始，施用N、P、K质量百分比分别为20%：20%：20%的的水溶性复合肥，每隔7-10天施用一次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；芍药花期过后，每隔1个月施用一次，施肥浓度为3.0g/L，施肥量为1L/株·次，施用3次。

在本发明的一个实施方案中，对种植槽底部及侧面进行消毒处理，具体步骤为：用70%的代森锰锌800-1000倍喷洒2遍，晾干后再次喷洒1遍。

在本发明另一个实施方案中，种植槽底部及侧面铺100g/m²的无纺布，将土壤和基质隔开。

在本发明另一个实施方案中，在底部铺5-8cm厚的陶粒作为沥水层，陶粒粒径为1.0-3.5cm。

在本发明另一个实施方案中，草炭：蛭石：珍珠岩体积比3：1：1混合作为无土栽培基质，基质中混合鸡粪，基质与鸡粪的体积比为9:1，装填基质的厚度为35-38cm。

其中，所述薄膜为厚0.1mm、透光率为95%的PEP利得膜。

本发明的切花芍药栽培方法非常适合‘紫凤羽’的切花生产。

本发明设计的种植槽建造简便易行、成本低廉，种植槽尺寸及间距设计符合芍药的根系和冠幅的常规大小。种植槽经过消毒处理，能明显减少病虫害的发生。采用无纺布代替聚乙烯塑料布，既能隔离基质和土壤，又能保证基质和土壤之间进行气体和水分交换。种植槽底部铺5-8cm厚的陶粒作为沥水层，能有效防止积水，预防烂根现象的发生。

本发明提供的环境控制以及施肥方法，非常适于芍药的切花生产。采用该栽培模式进行切花生产，芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上，花枝长度达75cm，开花5-6朵/株。其中开花率比盆栽提高80%，花枝长度比盆栽增加25.2%，切花产量和品质均得到提高。此外，芍药品种‘紫凤羽’在该栽培模式下病虫害及杂草相比大田地栽明显减少，开花率比大田地栽提高7.9%，花期比大田地栽提前15-22天。

附图说明