[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，包括第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于所述第一导电半导体层下方；以及有源层，位于所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间；

支撑元件，位于所述发光结构下方；

衬底，位于所述发光结构上方；

反射电极层，位于所述第二导电半导体层与所述支撑元件之间；以及

绝缘层，被布置在所述反射电极层与所述支撑元件之间并且在所述发光结构与所述支撑元件之间；

第一连接电极、第二连接电极及第三连接电极，在所述支撑元件中彼此间隔开；

第一电极和第三电极，位于所述第一导电半导体层与所述第一连接电极和所述第三连接电极之间；以及

第二电极，位于所述反射电极层与所述第二连接电极之间，

其中所述第二连接电极被布置在所述第一连接电极与所述第三连接电极之间，

所述第一连接电极和所述第三连接电极彼此电性连接且与所述第二电极电性绝缘，以及

所述支撑元件被布置在所述第一连接电极至所述第三连接电极的外围部分，

其中所述第一连接电极至所述第三连接电极的底面暴露于所述支撑元件的底面，

其中所述支撑元件的底面的宽度等于所述衬底的顶面的宽度，

其中所述第一连接电极至所述第三连接电极中的至少一个包括彼此间隔的多个连接电极，

其中所述支撑元件的底面在相同的平面上与所述第一连接电极至所述第三连接电极的底面对齐，

其中所述支撑元件包括添加有陶瓷材料的树脂材料，并且所述支撑元件的侧面在相同的平面上与所述发光结构的侧面对齐，

其中所述支撑元件在所述发光结构下方不向外突出于所述发光结构的侧面，其中所述支撑元件的整个顶面低于所述发光结构，

其中所述支撑元件的厚度厚于所述衬底的厚度，

其中所述支撑元件与所述第一连接电极至所述第三连接电极的外围部分和所述第一电极至所述第三电极的外围部分接触，

其中所述第一电极和所述第一连接电极布置在所述支撑元件的第一区域中，

其中所述第三电极和所述第三连接电极布置在所述支撑元件的第二区域中，

其中所述支撑元件的厚度厚于所述第一连接电极至所述第三连接电极的厚度，

其中所述绝缘层具有分布式布拉格反射DBR结构，在该DBR结构中交替叠置有折射率互不相同的第一和第二层，并且

其中所述绝缘层暴露于所述发光器件的侧面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘层由不同于所述支撑元件的材料形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一连接电极至所述第三连接电极的厚度厚于所述第一电极至所述第三电极的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一连接电极至所述第三连接电极在所述支撑元件中沿至少两排对齐。

5.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述支撑元件的底面与所述衬底的顶面平行。

6.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述第一连接电极与所述第三连接电极的距离是相对于所述支撑元件一个侧面的长度的1/2或更大，并且

其中所述第一连接电极和所述第三连接电极关于所述支撑元件的中心而彼此相对。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一区域和第二区域的面积是基于所述有源层的面积的50％或更小。

8.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述支撑元件的底面的宽度等于所述第一导电半导体层的顶面沿水平方向的宽度。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述发光器件的所述第一连接电极至所述第三连接电极以及所述支撑元件的底面以相同的间距与模块衬底的顶面间隔开。