[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201210593066.7 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103187512B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 裴锡训;崔锡范;姜弼根;黄德起;韩伶妵;崔熙石;朴永录;李泰暾;吴贤成;朱志熙;姜东祐;金成植 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;李玉锁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件
【说明书】:

本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括:发光结构,该发光结构包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及有源层,位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间;支撑元件,位于该发光结构下方;反射电极层,位于第二导电半导体层与支撑元件之间;以及第一连接电极至第三连接电极,在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间,第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接,以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。

相关申请交叉引用

本申请要求2012年1月3日提交的韩国专利申请第10-2012-0000723号和10-2012-0000724号的优先权,其全文通过引用全部合并在此。

技术领域

本实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。

背景技术

由于其物理和化学特性,III-V族氮化物半导体被广泛用作发光器件(例如,发光二极管(LED)或激光二极管(LD))的主要材料。通常,III-V族氮化物半导体包括组分分子式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,以及0≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是半导体器件,其通过使用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或光来传送/接收信号。LED还用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如,LED或LD用作各种产品的光源,这些产品例如为移动电话的键盘发光部件、电子广告牌以及照明器件。

发明内容

本实施例提供一种具有新颖结构的发光器件。

本实施例提供一种晶片级封装发光器件。

本实施例提供一种包括支撑元件的发光器件,该支撑元件具有布置在第一电极和第二电极周围的陶瓷基添加剂。

本实施例提供一种发光器件,其中具有第一极性的多个连接电极被嵌入支撑发光结构的支撑元件中。

本实施例提供一种发光器件,其中具有第一极性的第一连接电极被布置在具有第一极性的多个第二连接电极之间。

本实施例提供一种具有发光器件和发光模块的发光器件封装。

根据实施例的发光器件包括:发光结构,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层,位于第一导电半导体层下方;以及有源层,位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间;支撑元件,位于该发光结构下方;反射电极层,位于第二导电半导体层与支撑元件之间;以及第一连接电极至第三连接电极,在支撑元件中彼此间隔开,其中第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间,第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接且与第二连接电极电性绝缘,以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。

根据实施例的发光器件包括:透明衬底;支撑元件,位于透明衬底下方;发光结构,布置在透明衬底与支撑元件之间,并且该发光结构包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及有源层,位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间;反射电极层,位于第二导电半导体层与支撑元件之间;以及第一连接电极至第三连接电极,在支撑元件中彼此间隔开,其中第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间,第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接且与第二连接电极电性绝缘,以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。

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