[发明专利]晶体管隔离结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201210593654.0 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103066106A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;孙德明;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体管隔离结构，包括：半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的隔离沟槽，所述隔离沟槽内表面设置有半导体缓冲层，设置有半导体缓冲层的所述沟槽中填充有绝缘层，其特征在于，所述半导体缓冲层的禁带宽度大于所述半导体衬底的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅，所述半导体缓冲层的材料为碳化硅。
3.根据权利要求1或2所述的隔离结构，其特征在于，所述半导体缓冲层的厚度为3~15nm。
4.一种晶体管隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上设置隔离沟槽；
在所述隔离沟槽的内表面设置半导体缓冲层；
在设置有半导体缓冲层的所述沟槽中填充绝缘层；
其中，所述半导体缓冲层的禁带宽度大于所述半导体衬底的禁带宽度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在半导体衬底上设置隔离沟槽包括：
在半导体衬底上形成过渡绝缘层；
通过光刻保留、去除光刻胶的方式分别在所述过渡绝缘层上形成有源区和隔离区；
刻蚀掉隔离区的所述过渡绝缘层和部分所述半导体衬底，再去除所述有源区的光刻胶，形成隔离沟槽。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅，所述半导体缓冲层的材料为碳化硅。
7.根据权利要求4或6所述的方法，其特征在于，所述半导体缓冲层的厚度为3~15nm。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在设置半导体缓冲层的所述沟槽中填充绝缘层包括：
在所述有源区、隔离区沉积绝缘材料，使所述有源区的所述过渡绝缘层被所述绝缘材料所覆盖，所述隔离区的所述隔离沟槽中填充有所述绝缘材料；
通过平整化处理，去除所述有源区的所述过渡绝缘层表面的所述绝缘材料，以及所述隔离区的高于周围所述过渡绝缘层表面高度的所述绝缘材料，保留填充在所述隔离沟槽中的所述绝缘材料；
去除所述有源区的所述过渡绝缘层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，去除所述有源区的所述过渡绝缘层时采用湿法腐蚀。
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