[发明专利]一种掩膜板

说明书

技术领域

本发明涉及一种掩膜板，尤其是用于真空蒸镀的掩膜板结构

背景技术

在一些半导体制造工艺中，为了将物质（有机或无机物质）沉积到衬底上，需要气相沉积步骤。在一些工艺中，必须将物质沉积在衬底上精确限定的区域内。为了简化沉积工艺，通常将掩膜板施加到衬底的一侧，掩膜板中的切口或开口限定了沉积物质的区域。通常需要将材料精确沉积到与开口对应的区域中，使得这些区域的边界清晰。例如，在意图用于显示或其他发光应用的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)的制造期间，必须将有机物质沉积在精确限定的区域中。

现有技术的掩膜板，如图1、图2、和图3所示，掩膜板包括掩膜板基板1，在掩膜板基板上形成的相互平行的均匀分布的条状开口2，遮挡部分3的斜面为圆弧形、U形或梯形等形状，及均匀分布在掩膜板1边缘之上的焊点4。长条形开口贯穿覆盖一列同色子像素单元。由于长条形开口过于狭长，在将掩膜板安装并向四方张紧受力后，掩膜板易变形，不容易控制，为了防止掩膜板变形，就需要保证其机械强度，这就需要使掩膜板保持足够厚度，例如RGB子像素单元在蒸镀有机覆盖材料过程中会因为掩膜板的厚度影响存在阴影现象，即每个子像素单元的边缘蒸镀厚度会明显低于子像素中间的蒸镀厚度，从而影响显示效果。

考虑到微结构的小尺寸，特别是当制造所谓的RGB显示器时，掩膜板必须非常精确地定位，在这种显示器中，为了在显示器上进行彩色显示，用于红、绿、和蓝光的像素区域，掩膜板与衬底必须彼此紧密靠近。然而，沉积过程中当掩膜板不与衬底保持令人满意的紧密接触时会出现问题。因为衬底和掩膜板是薄的，并且具有相对于其厚度为大的面积，所以当保持在水平位置时它们倾向于在其自身重量下下垂。如本领域技术人员所公知的，材料沉积通常在真空室中进行，其中待气化的材料包含在与“莲蓬式喷头”连接或不连接的称为“舟”或“坩埚”的蒸发源中。这些以一些合适的方式，例如电进行加热，以使材料气化。在该气化期间，所述室中可达到高温。结果，掩膜板的材料可能热膨胀，并最终与衬底分离。此外，被沉积的材料不仅到达衬底，而且有一些量还会到达掩膜板并附着于其上，则附着至开口之间区域中的遮蔽掩膜的多余材料可附加地促进掩膜板的下垂。当掩膜板不再在整个区域内附着至衬底时，在开口中沉积的材料的边界不再精确限定，可导致不良的产品品质。

不均匀的或玷污的沉积区域边缘在诸如OLED显示的产品中是不可接受的，并且这种不良的品质可导致高成本。

发明内容

为了克服现有技术的上述技术问题，有必要提供一种质量轻、强度好、衬底损伤减少的蒸镀掩膜板。

本发明提供了一种掩膜板，所述掩膜板为铁镍金属掩膜板，包括第一区域和第二区域，所述第一区域围绕所述第二区域四周设置，用于定位，区域内在掩膜板边缘处有与掩膜板支架（或框架）进行固定的定位孔或焊点，所述第二区域包含遮挡部分和开口部分，所述开口部分为平行设置的条形开口或矩阵型分布的点状开口，开口之外的区域为遮挡部分，所述遮挡部分与所述开口部分间隔平行排列，所述第二区域的遮挡部分面向衬底的一侧设置有第一凹槽，所述第一凹槽在横向或纵向平行于所述开口部分，所述第一凹槽的形状为U形或梯形，其短边长度小于相邻开口部分间距离，其长边长度小于掩膜板边长，其深度小于掩膜板厚度的1/2，一般在15um-25um之间。

上述提到的掩膜板，在所述第一区域内，掩膜板边缘与掩膜板支架（或框架）焊接处设置有第二凹槽，用于容纳焊点。所述第二凹槽的形状为梯形或U形，所述第二凹槽能容纳一个或多个焊点，其短边长度略大于焊点直径，其长边长度大于或等于一个或多个焊点直径的总和，其深度大于焊点的高度，一般在10um-20um的范围内。