[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效
| 申请号： | 201210595740.5 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103066129A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 纪成友;贾道峰 | 申请（专利权）人： | 青岛红星化工集团自力实业公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBZO TFT生长工艺，其特征在于
该IGBZO生长工艺包括：
腐蚀ITO玻璃；
生长IGBZO复合层结构
其中，IGBZO复合层TFT器件后期制备流程如下：
刻蚀Al；
湿法腐蚀IGBZO。
2.如权利要求1所述的IGBZO TFT生长工艺，其特征在于，上述腐蚀ITO玻璃包括使用腐蚀液HNO3∶H20∶HCI＝1∶2∶3，水浴50℃1分钟。
3.如权利要求1所述的IGBZO TFT生长工艺，其特征在于，
上述生长IGBZO复合层结构包括采用物理蒸发低温沉积(PELD)系统蒸发氧化物ZnO和BaO，在ITO玻璃衬底上连续沉积生长IGBZO和C-IGBZO复合层薄膜。
4.如权利要求1所述的IGBZO TFT生长工艺，其特征在于，
上述湿法腐蚀IGBZO包括采用H3PO4∶H2O配比的溶液水浴60℃湿法腐蚀IGBZO。
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