[发明专利]一种提升芯片ESD性能的方法和电路

权利要求书

1.一种提升芯片ESD性能的电路，该电路包括放电器件、耦合电容、使能控制管；其中放电器件的栅极接在使能控制管的源极，放电器件源极和衬底接地，漏极接电源，耦合电容上极板接电源，下极板连接使能控制管的漏极，使能控制管衬底接地，漏极连接耦合电容的下极板，源极连接放电器件的栅极。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于放电器件为NMOS管，随着栅极电压的升高，漏极与源极之间流过的电流逐渐增大。

3.根据权利要求1的电路，其特征在于耦合电容把电源的快速变化耦合到放电器件的栅极，加快放电器件的开启速度，增强瞬间放电的能力。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于使能控制管受使能信号的控制，当使能信号相对于电源电压为低电平时，使能控制管截止，耦合电容与放电器件的栅极节点断开；当使能信号相对于电源电压为高电平时，使能控制管导通，耦合电容通过使能控制管连接到放电器件的栅极节点上。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于当电源发生ESD时，ESD电流不会流过放电器件，只会从芯片的ESD保护电路中流走，因此不会影响芯片的ESD性能。

6.根据权利要求1或3所述电路，其特征在于所述的耦合电容还能用MOS管的形式来实现。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述的放电器件的栅极除了连接使能控制管以外，还可能连接其它电路。

8.一种提升芯片ESD性能的方法，用于权利要求1所述的电路中，其特征在于用上电复位信号的输出来控制使能控制NMOS管的导通与截止，从而控制耦合电容是否连接到放电器件的栅极；需要放电器件工作时，该NMOS管导通；而在不需要放电器件工作的情况下，该NMOS管截止，从而提升芯片ESD性能。