[发明专利]制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制造用于面内切换IPS模式液晶显示器LCD装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上顺序地形成第一金属层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成光致抗蚀剂图案，该光致抗蚀剂图案具有第一线宽；

对暴露在所述光致抗蚀剂图案之外的所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，以形成具有比所述第一线宽小的第二线宽的双层结构的第一金属图案和第二金属图案；

移除所述光致抗蚀剂图案；

通过使用作为掩膜的所述第二金属图案和用于有选择地蚀刻所述第一金属图案的第一蚀刻剂，有选择地将所述第一金属图案蚀刻为具有比所述第二线宽小的第三线宽以形成像素电极和公共电极；以及

通过使用用于有选择地蚀刻所述第二金属图案的第二蚀刻剂来有选择地蚀刻和移除所述第二金属图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一线宽在从大约2.5μm到大约3.5μm的范围内，所述第二线宽在从大约1.5μm到大约2.5μm的范围内，并且所述第三线宽在从大约0.5μm到大约1.0μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层由从由钛钼MoTi、钼、钛、钼合金、钛合金、氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO组成的组中选择出的一种形成。

4.根据权利要求所述2的方法，其中所述第二金属层由从铜Cu、铝Al、铝合金、银Ag和银合金中选出的一种形成。

5.根据权利要求3的方法，其中所述第一金属层由钛钼形成，并且所述第二金属层由铜形成，所述第一蚀刻剂包含过氧化氢H₂O₂和氟F，并且所述第二蚀刻剂包含硫酸钾K₂SO₄和有机酸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一蚀刻剂和所述第二蚀刻剂中的每一个均包括抑制剂和表面活性剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一金属图案和所述第二金属图案的步骤包括使用混合蚀刻剂来蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层，

其中所述混合蚀刻剂包括硫酸钾、过氧化氢、氟、抑制剂和表面活性剂。

8.根据权利要求1所述的方法，该方法在形成所述第一金属层的步骤之前还包括以下步骤：

在所述基板上形成彼此交叉的选通线和数据线以限定像素区域，形成与所述选通线平行并与所述选通线分开的公共线，并且在各个像素区域上形成薄膜晶体管TFT以连接到所述选通线和所述数据线；以及

在所述TFT上形成保护层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述像素电极和所述公共电极的步骤包括在各个像素区域中的所述保护层上形成与所述选通线平行的彼此分开并相对的辅助公共图案和辅助像素图案，所述辅助公共图案被配置为连接全部公共电极的一端，并且所述辅助像素图案被配置为连接全部像素电极的一端。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述公共线的步骤包括在各个像素区域中形成与所述数据线平行的最外侧公共电极，所述最外侧公共电极从所述公共线分支而来，并且

形成所述保护层的步骤包括形成暴露出漏极的漏接触孔和暴露出所述最外侧公共电极的公共接触孔，

其中所述辅助公共图案通过所述公共接触孔与所述最外侧公共电极接触，并且所述辅助像素图案通过所述漏接触孔与所述像素电极接触。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述TFT包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极和漏极。