[发明专利]制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器(LCD)装置，更具体地讲，涉及一种制造用于面内切换(IPS)模式LCD装置的阵列基板的方法，该LCD装置包括具有细的线宽(fine line width)的公共电极和像素电极。

背景技术

由于高对比度而有利于显示运动图像并被普遍地用于电视和监视器中的液晶显示器(LCD)装置，可以基于光学各向异性和液晶(LC)的偏振来形成图像。

LCD装置可以包括作为基本构件的LC面板。LC面板可以通过在相互平行设置的两片基板之间夹入液晶层并将液晶层与两片基板结合起来而形成。在LCD装置中，根据LC面板中产生的电场，布置LC分子的方向可以被改变，以获得透射率的差异。

最近，因为有源矩阵(AM)型LCD装置具有高分辨率并能很好地显示运动图像，所以被配置成根据垂直产生的电场来驱动LC的AM型LCD装置已被广泛地应用。然而，因为LC由垂直施加的电场驱动，所以AM型LCD装置具有较差的视角特性。

出于这种原因，已经提出了用来克服狭窄视角的各种方法。在这些方法中，一种根据水平电场驱动LC的方法正被密切关注。

图1是典型的面内切换模式LCD装置的LC面板的截面图。

参照图1，用作阵列基板的下基板1和用作滤色器基板的上基板3可以彼此分开并相对设置，并且液晶层5可以插入在上基板3和下基板1之间。

公共电极21和像素电极25可形成在下基板1的同一平坦表面上。液晶层5可以根据由公共电极21和像素电极25产生的水平电场L工作。

如上所述，面内切换模式LCD装置可以包括形成在下基板1上的公共电极21和像素电极25，并在两个电极21和25之间产生水平电场L，使得LC分子能够平行于与上基板3和下基板1平行的水平电场L来排列。因此，拓宽了LCD装置的视角。

同时，在面内切换模式LCD装置中，由于液晶层5根据形成在像素电极25和公共电极21之间的水平电场L而工作，所以不能驱动布置在像素电极25和公共电极21上的液晶层5。因此，开口率可能减小像素电极25和公共电极21的面积那么多。

出于这种原因，为了提高开口率，需要将具有细的线宽的像素电极和公共电极用于现有的面内切换模式LCD装置。然而，由于现有曝光工具的分辨率的限制，所以具有小于大约2.5μm线宽的像素电极和公共电极的形成在技术上受到了限制。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种制造用于面内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)装置的阵列基板的方法，该方法基本上克服了由于现有技术的限制和缺陷而产生的一个或多个问题。

本发明的一个目的是提供IPS模式LCD装置，其中像素电极和公共电极被形成为具有大约2.5μm或更小的细的线宽。

本发明的另一个目的是提供一种提高了开口率的IPS模式LCD装置。

本发明另外的特征和优点将在下面的描述中进行阐述，并且部分地将从描述中清楚地得到，或者可以通过本发明的实践而得知。通过尤其是在撰写的说明书和权利要求及其附图中指出的结构，可以实现并获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些及其他优点并且遵循本发明的目的，如在此表达的和大致描述的，制造用于IPS模式LCD装置的阵列基板的方法包括以下步骤：在基板上顺序地形成第一金属层和第二金属层；在所述第二金属层上形成光致抗蚀剂图案，该光致抗蚀剂图案具有第一线宽；对暴露在所述光致抗蚀剂图案之外的所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，以形成具有比所述第一线宽小的第二线宽的双层结构的第一金属图案和第二金属图案；移除所述光致抗蚀剂图案；通过使用作为掩膜的所述第二金属图案和用于有选择地蚀刻所述第一金属图案的第一蚀刻剂，有选择地将所述第一金属图案蚀刻为具有比所述第二线宽小的第三线宽以形成像素电极和公共电极；以及通过使用用于有选择地蚀刻所述第二金属图案的第二蚀刻剂来有选择地蚀刻和移除所述第二金属图案。

所述第一线宽可在从大约2.5μm到大约3.5μm的范围内，所述第二线宽可在从大约1.5μm到大约2.5μm的范围内，并且所述第三线宽可在从大约0.5μm到大约1.0μm的范围内。所述第一金属层可以由从由钛钼(MoTi)、钼、钛、钼合金、钛合金、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)组成的组中选出的一种形成。