[发明专利]包含两个功率半导体芯片的器件及其制造

权利要求书

1.一种器件，包含：

具有第一面和与第一面相对的第二面的第一功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上且第三接触焊盘布置在第二面上；以及

具有第一面和与第一面相对的第二面的第二功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；

其中布置该第一和第二功率半导体芯片以使得该第一功率半导体芯片的第一面面向第一方向并且该第二功率半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向，以及

其中该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

2.根据权利要求1所述的器件，其中该第一功率半导体芯片横向上完全位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包含附着到该第一功率半导体芯片的第二面的第一金属层。

4.根据权利要求3所述的器件，进一步包含附着到该第二功率半导体芯片的第二面的第二金属层。

5.根据权利要求4所述的器件，其中该第一金属层和该第二金属层具有相同的厚度。

6.根据权利要求4所述的器件，其中该第一金属层将该第一功率半导体芯片的第三接触焊盘电耦合至该第二功率半导体芯片的第一接触焊盘。

7.根据权利要求3所述的器件，其中该第一金属层的表面形成第一外部接触焊盘。

8.根据权利要求4所述的器件，其中该第二金属层的表面形成第二外部接触焊盘。

9.根据权利要求1所述的器件，其中该第一和第二功率半导体芯片的第一、第二和第三接触焊盘分别是源电极、栅电极和漏电极。

10.根据权利要求1所述的器件，其中该第一和第二功率半导体芯片均是功率MOSFET、IGBT、JFET或功率双极晶体管。

11.根据权利要求1所述的器件，其中该第一功率半导体芯片和第二功率半导体芯片在半桥电路中相互耦合。

12.根据权利要求1所述的器件，其中该第一功率半导体芯片和第二功率半导体芯片是相同尺寸。

13.一种器件，包含：

具有第一面和与第一面相对的第二面的第一MOSFET功率半导体芯片，其中源极接触焊盘和栅极接触焊盘布置在第一面上并且漏极接触焊盘布置在第二面上；以及

具有第一面和与第一面相对的第二面的第二MOSFET功率半导体芯片，其中源极接触焊盘和栅极接触焊盘布置在第一面上并且漏极接触焊盘布置在第二面上；

其中该第一和第二MOSFET功率半导体芯片布置为一个位于另一个之上；以及

该第一MOSFET功率半导体芯片的第一面面向该第二MOSFET功率半导体芯片的第一面。

14.根据权利要求13所述的器件，其中该第一MOSFET功率半导体芯片横向上完全位于该第二MOSFET功率半导体芯片的轮廓外部。

15.一种方法，包括：

提供具有第一面和与第一面相对的第二面的第一功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；

提供具有第一面和与第一面相对的第二面的第二功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；以及

布置第一和第二功率半导体芯片以使得该第一功率半导体芯片的第一面面向第一方向并且该第二功率半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向，并且该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括把第一金属层附着到该第一功率半导体芯片的第二面。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括把第二金属层附着到该第二功率半导体芯片的第二面。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：

将第一层状金属箔附着到该第一金属层；以及

将第二层状金属箔附着到该第二金属层。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括将该第一层状金属箔层压到该第二层状金属箔以制作层压层。