[发明专利]包含两个功率半导体芯片的器件及其制造

说明书

技术领域

本发明涉及一种包含两个功率半导体芯片的器件及其制造方法。

背景技术

功率半导体芯片是一种设计为处理大功率级的特定类型的半导体芯片。特别是，功率半导体芯片适合于开关和控制电流和/或电压。可将它们实施为功率MOSFET、IGBT、JFET以及功率双极晶体管。在大多数电源、DC至DC转换器以及电动机控制器中能够发现功率半导体芯片。功率半导体芯片为了例如半桥式电路的特定应用可以堆叠在彼此顶部之上。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供一种器件，包含：

具有第一面和与第一面相对的第二面的第一功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上且第三接触焊盘布置在第二面上；以及

具有第一面和与第一面相对的第二面的第二功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；

其中布置该第一和第二功率半导体芯片以使得该第一功率半导体芯片的第一面面向第一方向并且该第二功率半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向，以及

其中该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

根据本发明的另一个实施例，提供一种器件，包含：

具有第一面和与第一面相对的第二面的第一MOSFET功率半导体芯片，其中源极接触焊盘和栅极接触焊盘布置在第一面上并且漏极接触焊盘布置在第二面上；以及

具有第一面和与第一面相对的第二面的第二MOSFET功率半导体芯片，其中源极接触焊盘和栅极接触焊盘布置在第一面上并且漏极接触焊盘布置在第二面上：

其中该第一和第二MOSFET功率半导体芯片布置为一个位于另一个之上；以及

该第一MOSFET功率半导体芯片的第一面面向该第二MOSFET功率半导体芯片的第一面。

根据本发明的又一个实施例，提供一种方法，包括：

提供具有第一面和与第一面相对的第二面的第一功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；

提供具有第一面和与第一面相对的第二面的第二功率半导体芯片，其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上；以及

布置第一和第二功率半导体芯片以使得该第一功率半导体芯片的第一面面向第一方向并且该第二功率半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向，并且该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

附图说明

附图被包括用以提供对实施例的进一步的理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出实施例并且与具体实施方式一起用来解释实施例的原理。将容易领会其它实施例和实施例的多个预期的优点，同时参考以下详细描述它们将变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。

图1示意性地示出了包括两个被布置为一个位于另一个之上的功率半导体芯片的器件的一个实施例的截面图；

图2A-2O示意性地示出了包括将两个功率半导体芯片以面对面的位置布置在彼此之上以及将两个功率半导体芯片彼此耦合的方法的一个实施例的截面图；

图3示出了半桥式电路的基本电路；以及

图4示意性地示出了包括安装在电路板上的图2O中所示的器件的系统的一个实施例的截面图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图，这些附图构成了详细描述的一部分，在这些图中借助图示示出了可以实施本发明的特定实施例。在这方面，方向性的术语，例如：“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“前面”、“后面”等等，是参考所描述的图的方向来使用的。由于实施例的部件可被定位在许多不同的方向上，因此方向性的术语仅用于说明的目的，并且决不是限制性的。应当理解也可以利用其它实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不是在限制的意义上进行的，并且本发明的范围将由所附权利要求来限定。

除非另外特别说明，应当理解在此所描述的各示例性实施例的特征可以相互组合。

如该说明书中所采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”并非意味着意指所述元件必须直接耦合在一起；可在所述“耦合”或“电耦合”元件之间提供介入元件。