[实用新型]基于SET/MOS混合结构的8-3编码器有效
| 申请号： | 201220001490.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN202435386U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈锦锋;陈寿昌;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03M7/04 | 分类号： | H03M7/04 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 set mos 混合结构 编码器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SET/MOS混合结构的8-3编码器，其特征在于：包括第一至八信号源以及第一、二、三四输入的SET/MOS混合电路；
所述的第一信号源与第一SET/MOS混合电路的第一输入端连接；
所述第二信号源与所述第二SET/MOS混合电路的第一输入端连接；
所述第三信号源与第一、二SET/MOS混合电路的第二输入端连接；
所述第四信号源与所述第三SET/MOS混合电路的第一输入端连接；
所述第五信号源与所述第三SET/MOS混合电路的第二输入端以及第一SET/MOS混合电路的第三输入端连接；
所述第六信号源与所述第二SET/MOS混合电路的第三输入端以及第三SET/MOS混合电路的第三输入端连接；
所述第七信号源与所述的第一、二、三SET/MOS混合电路的第四输入端连接；所述第八信号源悬空。
2.根据权利要求1所述的基于SET/MOS混合结构的8-3编码器，其特征在于，所述的SET/MOS混合电路包括：
一PMOS管，其源极接电源端Vdd；
一NMOS管，其漏极与所述PMOS管的漏极连接；以及
一SET管，其与所述NMOS管的源极连接。
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