[实用新型]一种掩膜板和掩膜板系统有效
申请号: | 201220006968.1 | 申请日: | 2012-01-09 |
公开(公告)号: | CN202548530U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 李文波;王刚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G02F1/1335;G02F1/133;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及光刻技术领域,尤其涉及一种掩膜板和掩膜板系统。
背景技术
目前,在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)中,液晶显示面板由彩膜基板和阵列基板对盒而成。在制造彩膜基板和阵列基板的过程中,需要进行多次光刻工艺以形成层结构,并且制造中需要多少次光刻工艺一般就需要多少张不同图案的掩膜板。
但是,这些掩膜板的价格昂贵,如果在设计、运输等过程中发生任何差错,就会使得掩膜板无法使用,这样给生产企业带来很大损失也给生产者带来很多不便。在其他需要光刻的领域,也存在相同的问题。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种掩膜板和掩膜板系统,用以使得一个掩膜板可调变呈现不同图案,从而减少在制造中使用掩膜板的数量。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种掩膜板,包括:
图案显示屏,用于呈现掩膜图案;
控制单元,用于根据光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息控制所述图案显示屏在不同区域的光透过量,以呈现所述掩膜图案。
一方面,提供一种掩膜板系统,包括曝光机、掩膜板;其中,所述掩膜板为上述的掩膜板,所述曝光机提供紫外光。
本实用新型实施例提供一种掩膜板、掩膜板系统及掩膜方法,通过控制单元根据光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息控制图案显示屏在不同区域的光透过量,从而在图案显示屏呈现所需掩膜图案,在整个光刻工艺中,本实用新型实施例中的掩膜板能够呈现不同的掩 膜图案,相对于现有技术中在整个光刻工艺需要使用多张不同图案的掩膜板,本实用新型实施例中提供的掩膜板减少了制造过程中使用掩膜板的数量,避免了使用多张掩膜板过程中带来的不便和损失。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1(a)为本实用新型实施例提供的一种掩膜板的示意图;
图1(b)为本实用新型实施例提供的一种掩膜板的示意图;
图2(a)为本实用新型实施例提供的另一种掩膜板的示意图;
图2(b)为本实用新型实施例提供的另一种掩膜板的示意图;
图3(a)为本实用新型实施例提供的再一种掩膜板的示意图;
图3(b)为本实用新型实施例提供的再一种掩膜板的示意图;
图4(a)为本实用新型实施例提供的又一种掩膜板的示意图;
图4(b)为本实用新型实施例提供的又一种掩膜板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种掩膜板,包括:
图案显示屏,用于呈现掩膜图案;
控制单元,用于根据光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息控制所述图案显示屏在不同区域的光透过量,以呈现所述掩膜图案。
在本实用新型实施中,该控制单元与图案显示屏电连接,以便图案显示屏接收控制单元输出的不同灰阶信息所对应的电信号,从而呈 现所需掩膜图案;另外,控制单元并不受限于其设置的位置,例如,可以设置在图案显示屏的外围,具体的,控制单元可以为设置在图案显示屏外围的控制电路。
进一步的,上述掩膜板还包括:存储单元,用于存储光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息。
其中,灰阶信息包括所需掩膜图案各部分的灰阶值。对于普通掩膜工艺所使用的掩膜板的掩膜图案而言,可以分为不透光图案区和完全透光图案区,例如在不透光图案区的灰阶值可以为0(即全黑),在完全透光图案区的灰阶值可以为255(即全白);对于灰阶掩膜工艺所使用的掩膜板的掩膜图案而言,还进一步包括:半透光图案区,半透光图案的灰阶值根据需要可以为0~255之间的值。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备