[实用新型]用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器有效

专利信息
申请号: 201220018317.4 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN202616238U 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 乐秀海;张洁伟;周云;郑超;沈志明 申请(专利权)人: 江苏科融电子技术有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;G01J5/02
代理公司: 上海华祺知识产权代理事务所 31247 代理人: 刘卫宇
地址: 215325 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 热释电 红外传感器 半导体 封装 结构件 及其 传感器
【权利要求书】:

1.一种用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,所述的热释电红外传感器包括至少一个敏感元件和多根管座引脚;其特征在于,该用于热释电红外传感器的半导体封装结构件包括:

导电金属箔,该导电金属箔上布置有电路图案;

热释电红外传感器模数混合处理集成电路裸片,粘贴在所述的导电金属箔上,并通过该导电金属箔的电路图案实现与所述至少一个敏感元件和所述多根管座引脚的电连接; 

塑封壳体,封装所述的导电金属箔和所述的热释电红外传感器模数混合处理集成电路裸片;该塑封壳体暴露了部分导电金属箔,该暴露的部分导电金属箔用于与所述至少一个敏感元件及多根管座引脚实现电连接。

2.如权利要求1所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,所述的暴露的部分导电金属箔包括:

至少一对敏感元件引出电极焊盘,对应于所述的至少一个敏感元件,每对敏感元件引出电极焊盘用于分别与对应的那个敏感元件的两个引出电极电连接;

多个引脚焊盘,用于一一对应地分别与多根管座引脚电连接;每一所述的引脚焊盘设有供管座引脚穿过的引线通孔。

3.如权利要求2所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,该半导体封装结构件还包括:

支承部件,用于支承所述至少一个敏感元件。

4.如权利要求2所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,所述的塑封壳体包括:

多个引脚焊盘孔,开设在所述塑封壳体的上表面,并一一对应地分别暴露了所述的多个引脚焊盘;

多个引脚穿孔,开设在所述塑封壳体的下表面,并一一对应地分别与所述的多个引脚焊盘孔贯通连接,以使管座引脚穿入引脚焊盘的引线通孔。

5. 如权利要求3所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,

所述的支承部件由凸设在塑封壳体上表面上的至少一对支架构成;

或者,所述的支承部件由开设于塑封壳体上表面的至少一个凹槽的相对的两侧边构成;

或者,所述的支承部件由所述的至少一对敏感元件引出电极焊盘构成,该至少一对敏感元件引出电极焊盘伸出塑封壳体外,并高于所述塑封壳体的上表面。

6.如权利要求5所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,

所述敏感元件的数量为一个;所述的至少一对敏感元件引出电极焊盘包括与该敏感元件的一个引出电极电连接的敏感元件第一引出电极焊盘和与该敏感元件的另一个引出电极电连接的敏感元件第二引出电极焊盘;

所述的支承部件为凸设在塑封壳体上表面上的一对支架,在该一对支架的顶面或所述塑封壳体紧邻该一对支架的位置处分别开设有暴露敏感元件第一引出电极焊盘的第一导电孔和暴露敏感元件第二引出电极焊盘的第二导电孔;或者,所述的支承部件由开设于塑封壳体上表面的一个凹槽的相对的两侧边构成;在所述凹槽的相对的两侧边的顶面分别开设有暴露敏感元件第一引出电极焊盘的第一导电孔和暴露敏感元件第二引出电极焊盘的第二导电孔;或者,所述的支承部件由导电金属箔的敏感元件第一引出电极焊盘和导电金属箔的敏感元件第二引出电极焊盘构成,该敏感元件第一引出电极焊盘和敏感元件第二引出电极焊盘伸出塑封壳体外,并高于所述塑封壳体的上表面。

7.如权利要求6所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于,

所述的第一导电孔和第二导电孔分别设置在所述一对支架顶面的两相对侧边,并沿竖直方向延伸进入塑封壳体内。

8.如权利要求1所述的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,其特征在于, 

所述的暴露的部分导电金属箔包括:

至少一对敏感元件引出电极焊盘,对应于所述的至少一个敏感元件,每对敏感元件引出电极焊盘用于分别与对应的那个敏感元件的两个引出电极电连接;

多个引脚焊盘,用于一一对应地分别与多根管座引脚电连接;每一所述的引脚焊盘设有供管座引脚穿过的引线通孔;

所述的塑封壳体包括:至少一对导电孔,开设在所述塑封壳体的上表面,用于一一对应地分别暴露所述的至少一对敏感元件引出电极焊盘。

9.一种热释电红外传感器,包括带有红外滤光片窗口的管帽、至少一个敏感元件、管座以及穿过该管座的多根管座引脚,所述的管帽罩设在所述的管座上,并与该管座密封连接,其特征在于,该热释电红外传感器包括权利要求1至8中任意一项所述的半导体封装结构件,该半导体封装结构件设置在所述管座上;

其中,所述至少一个敏感元件安装在所述的半导体封装结构件上;每一敏感元件的一对引出电极以及所述的多根管座引脚分别与所对应的被暴露的导电金属箔部分电连接。

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