[实用新型]用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器有效
申请号: | 201220018317.4 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN202616238U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 乐秀海;张洁伟;周云;郑超;沈志明 | 申请(专利权)人: | 江苏科融电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;G01J5/02 |
代理公司: | 上海华祺知识产权代理事务所 31247 | 代理人: | 刘卫宇 |
地址: | 215325 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 热释电 红外传感器 半导体 封装 结构件 及其 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及热释电红外传感器技术。
背景技术
热释电红外传感器是一种将红外线辐射信号转变为电信号的探测器。现有的一种采用热释电红外传感器模数混合处理集成电路的热释电红外传感器的结构如图1所示,其包括管座91、基板92、热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93、敏感元件94和管帽95。管座91为金属材质,在管座91上设有三个通孔,三根管座引脚96a、96b和96c分别穿过该三个通孔,其中一根引脚96c接地,该引脚96c与管座91电连接;另外两根引脚96a、96b与管座91保持绝缘。基板92设置在管座91上,热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93设置在基板92上。基板92的表面设有印刷电路,该印刷电路具有与热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93的引脚、敏感元件94的一对引出电极以及管座引脚96a、96b、96c电连接的焊盘。在基板92的上表面还设有一对支架97、98,该一对支架97、98的侧面设有导电层,敏感元件94的一对引出电极部位支承在该一对支架97、98上,敏感元件94的一对引出电极分别与支架97的导电层和支架98的导电层电连接,该支架97的导电层和支架98的导电层与基板的印刷电路电连接。管帽95上设有红外滤光片窗口99。管帽95罩在管座91上,并与该管座91密封连接,将基板92、热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93以及敏感元件94罩在由管帽95和管座91所共同限定的空间内。
图2示出了现有的一种采用热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片的热释电红外传感器的电路原理图。如图所示,敏感元件94的一对引出电极分别与热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93的第一信号输入端IN1和第二信号输入端IN2电连接。热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93包括模数转换电路931和数字信号处理电路932。模数转换电路931将敏感元件94传送的模拟信号转换为数字信号后再传送给数字信号处理电路932,数字信号处理电路932对该数字信号进行带通滤波等数字信号处理后通过信号输出端OUT输出。接地端GND用于接地,电源端VDD用于与外接电源相连。
图3示出了现有的另一种采用热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片的热释电红外传感器的电路原理图。在图3所示的热释电红外传感器中,采用了两个敏感元件94,热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片93包括两组模数转换电路931和一数字信号处理电路932。
图2和图3仅仅示出了热释电红外传感器的两个示例,热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片的内部结构会随着具体应用的不同而有所不同。例如,有些热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片内还设有温度测量电路,有些设有灵敏度控制电路等。由于热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片的内部电路结构和功能的不同,在管座上所设置的管座引脚的数量也会随之变化。
目前,采用热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片的热释电红外传感器的装配通常有两种实现方式:一种是把热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片封装成SMT元件形式,然后在PCB基板上进行贴片安装,之后安装敏感元件和进行传感器外壳封装;另一种方式是,将热释电红外传感器模数混合处理集成电路裸片直接贴装在PCB基板上,然后用键合方式进行电连接,然后安装敏感元件,最后进行传感器外壳封装。由于热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片(或裸片)与基板是分立元件,在制造环节中,存在着基板的制造和安装、热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片(或裸片)安装及焊接等工序,致使这种结构的热释电红外传感器具有较高的制造成本。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种内部封装有热释电红外传感器模数混合处理集成电路裸片和导电金属箔的用于热释电红外传感器的半导体封装结构件,以替代现有分立的热释电红外传感器模数混合处理集成电路芯片(或裸片)和表面有印刷线路的基板,从而提高热释电红外传感器的生产效率,降低热释电红外传感器的制造成本。
本实用新型所要解决的进一步的技术问题在于提供一种采用上述半导体封装结构件的热释电红外传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的