[实用新型]带有场板和场限环的二极管

权利要求书

1.一种带有场板和场限环的二极管，其包括N⁺衬底层，形成于N⁺衬底层下侧的金属化层和形成于其上方的N^-外延层，其特征在于在所述的N^-外延层中间隔扩散形成有一P⁺主扩散区和至少一P⁺场限环，所述P⁺场限环位于所述P⁺主扩散区外周；在所述N^-外延层、所述P⁺主扩散区和所述P⁺场限环的同一侧形成有保护钝化层，所述钝化层位于所述P⁺主扩散区和所述P ⁺场限环上方分别开设有肖特基接触窗口，所述肖特基接触窗口处位于所述钝化层上方连接有场板；位于所述P⁺主扩散区处上方的场板向其两侧延伸；位于所述P⁺场限环上方的场板向背向所述P⁺主扩散区的方向延神。

2.根据权利要求1所述的带有场板和场限环的二极管，其特征在于所述P⁺主扩散区和所述P⁺场限环的掺杂浓度和深度相同。