[实用新型]带有场板和场限环的二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，尤其是指二极管。 

背景技术

快速恢复二极管是一种利用外延单晶硅片做外延材料的新一代半导体器件。具有高频高压等优点。可以作为输出整流、吸收、嵌位二极管等单独使用。也可以作为续流二极管与晶体管结合使用。广泛应用于电机变频调速，各种开关电源、静电感应等工业领域。快速恢复二极管的工作周期具有正向恢复和反向恢复。所谓正向恢复是指在开通初期会会有一较高的瞬态压降，然后经历一定时间恢复到平稳状态，该时间反映了正向恢复特性；反向恢复特性指的是二极管在短时间内从正向导通状态转换为反向阻断状态所需的时间，该时间反映了反向恢复特性。一般二极管需要具有好的反向恢复特性。要求其具有较低的正向恢复的瞬态压降，同时要求反向恢复快，击穿电压高。 

发明内容

本实用新型所要解决的发明目的是提供一种具有恢复快、击穿电压高的二极管。 

为实现上述发明目的，本实用新型提供的技术方案是一种二极管，其包括N⁺衬底层，形成于N⁺衬底层下侧的金属化层和形成于其上方的N^-外延层，其特征在于在所述的N^-外延层中间隔扩散形成有一P⁺主扩散区和至少一P⁺场限环，所述P⁺场限环位于所述P⁺主扩散区外周；在所述N^-外延层、所述P⁺主扩散区和所述P⁺场限环的同一侧形成有保护钝化层，所述钝化层位于所述所述P⁺主扩散区和所述P⁺场限环上方分别开设有肖特基接触窗口，所述肖特基接触窗口处 位于所述钝化层上方连接有场板；位于所述P⁺主扩散区处上方的场板向其两侧延伸；位于所述P⁺场限环上方的场板向背向所述P⁺主扩散区的方向延神。 

所述P⁺主扩散区和所述P⁺场限环的掺杂浓度和深度相同。 

本实用新型的二极管，其通过采用场板和场限环结合，在反向电压下P⁺主扩散区和P⁺场限环的耗尽层交叠，加宽了耗尽层宽度，提高了击穿电压。 

附图说明

图1本实用新型结构示意图 

具体实施方式

针对本实用新型，通过一具体实施例并结合图式进行具体说明。 

在高浓度掺杂的N⁺衬底层2，即阴极区，其一端连接有N^-外延层3，其另一端形成有金属化层1，形成金属电极。在N^-外延层3通过硅平面扩散工艺形成位于N^-外延层3中心的P⁺主扩散区4，在P⁺主扩散区4的外周间隔适当距离形成有P⁺场限环5，P⁺主扩散区4和P⁺场限环5位于同一制造平面，分别与N^-外延层形成P⁺主扩散区PN结和P⁺场限环PN环结，P⁺场限环5位于N^-外延层3区域内。P⁺主扩散区4和P⁺场限环5的掺杂浓度和深度相同，其深度小于N^-外延层3的厚度。P⁺场限环5可以以P⁺主扩散区4为中心设置若干条，场限环5与P⁺主扩散区4之间的间距及场限环5之间的间距与衬底层的电阻率成正比。 

在N^-外延层3、P⁺主扩散区4和P⁺场限环5的上方间隔形成有保护钝化层6，钝化层6选择二氧化硅材料。钝化层6在位于P⁺主扩散区4和P⁺场限环5的上方分别形成有肖特基接触窗口7，在肖特基接触窗口7连接有场板8。P⁺场限环5上方的场板8向背向P⁺主扩散区4一侧的方向延伸；P⁺主扩散区4上方的场板8分别向肖特基接触窗口两端延展。通过P⁺主扩散区的PN主结及P⁺场限 环5的PN环结，当施加方向电压时，PN主结耗尽层和PN环结的耗尽层交叠，加宽了耗尽层的宽度，提高了击穿电压。