[实用新型]半导体装置、开关调节器和电视机

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1～第3外部端子；

驱动器，其接受施加到所述第1外部端子的驱动电压和施加到所述第2外部端子的基准电压的供给，向所述第3外部端子输出信号；

过电压保护电路，其监视施加到所述第1外部端子与所述第2外部端子之间的端子间电压，生成过电压检测信号；和

过电压保护开关，根据所述过电压检测信号而被进行导通/截止控制，

所述驱动器包括：对输入信号实施处理之后进行输出的前级电路、和对所述前级电路的输出信号实施处理之后输出给所述第3外部端子的后级电路，

所述过电压保护开关被设置在其断开时使通向所述后级电路的驱动电压供给路径导通的同时切断通向所述前级电路的驱动电压供给路径的位置上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述后级电路被设计成比所述前级电路还要高的耐压。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述前级电路包括使所述输入信号进行逻辑反转之后输出的第1反相器，

所述后级电路包括使所述前级电路的输出信号进行逻辑反转之后输出给所述第3外部端子的第2反相器。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1反相器包括使所述输入信号进行逻辑反转之后输出的上侧反相器、和使所述输入信号进行逻辑反转之后输出的下侧反相器，

所述第2反相器包括根据所述上侧反相器的输出信号而被导通/截止的上侧开关、和根据所述下侧反相器的输出信号而被导通/截止的下侧开关。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述上侧开关是P沟道型场效应晶体管，

所述下侧开关是N沟道型场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述后级电路包括：在所述P沟道型场效应晶体管的栅极与所述驱动电压的供给端之间连接的上拉电阻、和在所述N沟道型场效应晶体管的栅极与所述基准电压的供给端之间连接的下拉电阻。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述上侧反相器包括：

在所述驱动电压的供给端与信号输出端之间连接的第1开关；

在所述信号输出端与所述基准电压的施加端之间连接的第2开关；和

阳极连接于所述第1开关、阴极连接于所述信号输出端的二极管。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2开关和所述二极管被设计成具有比所述第1开关还要高的耐压。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具备：

第4外部端子，其输入反馈电压；和

控制电路，以所述反馈电压与规定的目标值一致的方式生成所述输入信号。

10.一种开关调节器，其特征在于，具备：

权利要求9所述的半导体装置；

晶体管，根据来自所述第3外部端子的输出信号而被进行导通/截止控制；

整流/平滑电路，其对从所述晶体管的一端引出的脉冲状的开关电压进行整流/平滑以生成输出电压；和

反馈电压生成电路，其生成与所述输出电压相应的所述反馈电压。

11.根据权利要求10所述的开关调节器，其特征在于，

向所述第1外部端子施加比所述开关电压高出规定电位的升压电压，向所述第2外部端子施加所述开关电压，所述晶体管的栅极与所述第3外部端子连接。

12.根据权利要求10所述的开关调节器，其特征在于，

向所述第1外部端子施加恒定电压，向所述第2外部端子施加接地电压，所述晶体管的栅极与所述第3外部端子连接。

13.一种电视机，其特征在于，具备：

调谐器部，其根据接收信号选择期望频道的广播信号；

译码器部，其根据由所述调谐器选择的广播信号生成影像信号和声音信号；

显示部，其将所述影像信号作为影像来输出；

扬声器部，其将所述声音信号作为声音来输出；

操作部，其接受用户操作；

接口部，其接受外部输入信号；

控制部，其统一控制上述各部的动作；和

电源部，其向上述各部提供电力，

所述电源部包括权利要求10～权利要求12的任一项所述的开关调节器。