[实用新型]半导体装置、开关调节器和电视机

说明书

技术领域

本实用新型涉及进行输出晶体管的开关驱动控制的半导体装置、使用了该半导体装置的开关调节器、和以该开关调节器作为电源的电视机。

背景技术

图8是表示开关调节器的一个现有例的电路框图。如图8所示，在本现有例的开关调节器中，作为输出晶体管，使用了N沟道型MOS[Metal Oxide Semiconductor]场效应晶体管N1，为了使该晶体管N1导通，需要比输入电压Vin高的栅极电压。因此，在本现有例的开关调节器中设有自举电路(二极管103和电容器C2)，向生成晶体管N1的栅极电压的上侧驱动器101提供比在开关端子SW中出现的开关电压Vsw高出对应于电容器C2的充电电压的量(从恒定电压Vreg减去二极管103的正向压降Vf之后的电压量)的升压电压(boots voltage)Vbst。

另外，作为与开关调节器关联的现有技术的一例，可以列举专利文献1或专利文献2。

【专利文献1】JP特开2009-106115号公报

【专利文献2】JP特开平10-14217号公报

图9是表示自举动作的一现有例的波形图。另外，图9中的实线表示开关电压Vsw，虚线表示升压电压Vbst。

在进行通常动作时，由于在自举端子BST和开关端子SW之间不会产生恒定电压Vreg(例如5V)以上的电位差，因此不需要将驱动器101设计成高耐压。

但是，例如，在自举端子BST中产生了对高电压短路(例如，对输入电压Vin的施加端的短路)的情况下，由于在自举端子BST和开关端子SW之间产生相当于输入电压Vin的电位差(例如12V)，因此在该时刻有可能产生上侧驱动器101的损坏。此外，即使在该时刻避免了上侧驱动器101的损坏，在晶体管N1导通的时刻，在自举端子BST和开关端子SW之间，因自举动作而产生相当于输入电压Vin的大约2倍的电位差(例如24V)，因此只要不将上侧驱动器101设计成高耐压，就不能避免上侧驱动器101的损坏。由此，若产生上侧驱动器101的损坏，则不能使晶体管N1正常导通/截止，因此在最坏的情况下，还可能导致冒烟或起火

另外，若将上侧驱动器101设计成高耐压，以使其能够耐住相当于输入电压Vin的2倍的电位差，则上侧驱动器101的占有面积会变得非常大，因此存在引起开关电源IC100的大型化或成本上升的问题。

发明内容

本实用新型鉴于上述的问题点而完成，目的在于提供可抑制装置的大型化或成本上升的同时实现装置整体的高耐压化的半导体装置、及使用该半导体装置的开关调节器。

为了达到上述目的，本实用新型的半导体装置是如下的结构(第1结构)，即具备：第1～第3外部端子；驱动器，其接受施加到所述第1外部端子的驱动电压和施加到所述第2外部端子的基准电压的供给，向所述第3外部端子输出信号；过电压保护电路，其监视施加到所述第1外部端子与所述第2外部端子之间的端子间电压，生成过电压检测信号；和根据所述过电压检测信号而被进行导通/截止控制的过电压保护开关，所述驱动器包括：对输入信号实施处理之后进行输出的前级电路、和对所述前级电路的输出信号实施处理之后输出给所述第3外部端子的后级电路，所述过电压保护开关被设置在其断开时使通向所述后级电路的驱动电压供给路径导通的同时切断通向所述前级电路的驱动电压供给路径的位置上。

另外，在由上述第1结构构成的半导体装置中，也可以构成(第2结构)为，所述后级电路被设计成比所述前级电路还要高的耐压。

此外，在由上述第2结构构成的半导体装置中，也可以构成(第3结构)为，所述前级电路包括使所述输入信号逻辑反转之后进行输出的第1反相器，所述后级电路包括使所述前级电路的输出信号逻辑反转之后输出给所述第3外部端子的第2反相器。

此外，在由上述第3结构构成的半导体装置中，也可以构成(第4结构)为，所述第1反相器包括使所述输入信号逻辑反转之后进行输出的上侧反相器、和使所述输入信号逻辑反转之后进行输出的下侧反相器，所述第2反相器包括根据所述上侧反相器的输出信号而被导通/截止的上侧开关、和根据所述下侧反相器的输出信号而被导通/截止的下侧开关。

此外，在由上述第4结构构成的半导体装置中，也可以构成(第5结构)为，所述上侧开关是P沟道型场效应晶体管，所述下侧开关是N沟道型场效应晶体管。