[实用新型]一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置有效

专利信息
申请号: 201220047131.1 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN202626351U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 游达;吴义华;黄春来;周声浪;权祥 申请(专利权)人: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 多晶 铸锭 进气排杂 装置
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及一种进气排杂装置,特别是涉及一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置。

【背景技术】

由于铸锭炉内的石墨材料会与二氧化硅制成的石英坩埚在高温下发生反应产生含碳气体,如CO、CO2等,而所产生的含碳气体会使多晶硅中的碳含量过高。多晶硅中碳含量过高容易导致硅溶液在定向凝固长晶过程中形成碳沉淀物、碳化硅夹杂物、位错等杂质或缺陷,这不仅会在多晶硅锭切割工艺中增加断线事故及产生线痕不良,而且还会导致制作成的电池片漏电率高、转换效率低。故常用的方法是在铸锭炉顶部通入惰性气体来排出所产生的含碳气体。请参考图1,该铸锭炉包括坩埚11与护板12,护板12顶部设置盖板13,护板12与盖板13之间具有出气口14,盖板13上设置一根石墨长管15。该石墨长管15穿过盖板13与坩埚11内部空间导通。惰性气体从石墨长管15进入铸锭炉,并达到坩埚11上方。,进入铸锭炉的气体并不能马上通过出气口14排出热场,而是会在坩埚11、护板12、盖板13组成的结构中循环,并流经硅液的表面,使碳元素被吸附及溶入硅液中,从而造成生长出的硅锭中的碳含量高。另外,进入铸锭炉的气体还会造成气体对硅液表面集中冲击,使得一个小区域过冷,对晶体质量造成不良影响。

【实用新型内容】

本实用新型提供一种进气排杂装置,该进气排杂装置能够有效降低生长的硅锭的碳含量,并减弱气体对硅液表面的冲击,从而使生长的硅锭的有较高的质量。

为解决上述技术问题,本实用新型的一个实施例提供一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置,包括进气管及将从进气管进来的气体进行分流的分流组件,所述进气管与所述分流组件相连。

在优选的实施例中,所述分流组件包括一个上板与一个固定于上板上的下板,所述上板与所述下板之间形成一个空腔,所述下板上设置多个孔径小于进气管的孔径的出气孔,通入进气管的气体经过所述空腔后从所述多个出气孔排出。

在优选的实施例中,所述多个出气孔均匀分布在所述下板上。

在优选的实施例中,所述上板与所述下板之间的距离为0.5厘米到10厘米。

在优选的实施例中,所述分流组件为一个圆锥形的导流板,所述导流板形成一个允许气体通过的圆锥体腔体。

在优选的实施例中,所述导流板形成的圆锥的顶角角度为5度到45度。

该进气排杂装置通过在进气管下方设置一个与进气管相连的分流组件来将气流分散,这样减弱对硅液表面的冲击,同时分散的气流不容易在铸锭炉内形成循环气流,从而减少气体在坩埚、护板及盖板组成的结构中停留的时间,使气体能够尽快排出,减少含碳气体流经硅液表面时被吸附及溶入硅液的碳含量。这样,生长出来的硅锭就会有较高的质量。

【附图说明】

图1为常用的进气排杂装置与铸锭炉配合使用示意图;

图2为本实用新型一个实施例的进气排杂装置与铸锭炉配合使用示意图;

图3为本实用新型另一个实施例的进气排杂装置与铸锭炉配合使用示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本实用新型的较佳实施方式提供一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置。该铸锭炉内设有护板22,该进气排杂装置设置在该护板22上方,该进气排杂装置与该护板22之间设有出气口24。该进气排杂装置包括进气管25及将从进气管25进来的气体进行分流的分流组件23,该进气管25与该分流组件23相连。气体从进气管25进来后经过分流组件23的作用变成分散的气流到达铸锭炉内的硅液上方,从而不会对硅液造成集中冲击,有利于晶体的生长。

下面将结合实施例具体介绍一下该进气排杂装置。

实施例1

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