[实用新型]整理盘、研磨垫整理器及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种整理盘、研磨垫整理器及研磨装置。

背景技术

通常，在半导体工艺车间内经常采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)工艺。化学机械研磨工艺是一个复杂的工艺过程，它是将晶圆表面与研磨垫的研磨表面接触，然后，通过晶圆表面与研磨表面之间的相对运动将晶圆表面平坦化，通常采用化学机械研磨设备，也称为研磨装置或抛光机台来进行化学机械研磨工艺。所述研磨装置包括一化学机械研磨头，进行研磨工艺时，将要研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将该晶圆紧压到研磨垫上，所述研磨垫是粘贴于平台上，当该平台在马达的带动下旋转时，研磨头也进行相应运动；同时，研磨液通过研磨液供应管路输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上。研磨工艺所使用的研磨液一般包含有化学腐蚀剂和研磨颗粒，通过化学腐蚀剂和所述待研磨表面的化学反应生成较软的容易被去除的材料，然后通过机械摩擦将这些较软的物质从被研磨晶圆的表面去掉，达到全局平坦化的效果。

在研磨过程中，研磨垫的表面容易出现污垢或表面磨坏现象，此时，需要采用研磨垫整理器对研磨垫进行清洁或是改善研磨垫表面状况，以获得更好的研磨效果。

现有的研磨装置中，研磨垫整理器的整理盘如图1所示，所述整理盘包括整理盘本体11、金属设置层12、若干研磨晶体13以及抗腐蚀层14，所述金属设置层12固定设置于所述整理盘本体11的背面(即下表面)，所述研磨晶体13除尖部露出外其余部分嵌设于所述金属设置层12中，所述抗腐蚀层14涂敷于所述金属设置层12的外表面。

但是在实际使用中发现，整理盘上的研磨晶体13比较容易脱落，一方面，脱落的研磨晶体13会刮伤研磨垫表面，使得晶圆的研磨效果不稳定；另一方面，脱落的研磨晶体13还会刮伤晶圆表面，使得晶圆的良率进一步降低。

因此，如何提供一种可以防止研磨晶体脱落的整理盘、研磨垫整理器及研磨装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供整理盘、研磨垫整理器及研磨装置，通过在整理盘的抗腐蚀层的外表面以及研磨晶体与金属设置层及抗腐蚀层之间的间隙增设黏附层，可以有效防止研磨晶体脱落。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种整理盘，包括整理盘本体、金属设置层、若干研磨晶体以及抗腐蚀层，所述金属设置层固定设置于所述整理盘本体的正面和/或背面，所述研磨晶体除尖部露出外其余部分嵌设于所述金属设置层中，所述抗腐蚀层涂敷于所述金属设置层的外表面，还包括用于防止研磨晶体脱落的黏附层，所述黏附层涂敷于所述抗腐蚀层的外表面、研磨晶体的外表面以及所述研磨晶体与所述金属设置层及所述抗腐蚀层之间的间隙。

优选的，在上述的整理盘中，所述研磨晶体采用金刚石。

优选的，在上述的整理盘中，所述黏附层采用环氧树脂。

优选的，在上述的整理盘中，所述整理盘本体采用钢板。

优选的，在上述的整理盘中，所述金属设置层采用镍金属。

优选的，在上述的整理盘中，所述抗腐蚀层选用铬材料或钯材料。

优选的，在上述的整理盘中，所述金属设置层采用铬材料。

优选的，在上述的整理盘中，所述抗腐蚀层选用镍金属。

本实用新型还公开了一种研磨垫整理器，包括用于整理研磨垫的整理盘和机械臂，所述机械臂连接于所述整理盘的上方，所述整理盘采用如上所述的整理盘。

本实用新型还公开了一种研磨装置，包括铺设于研磨平台的研磨垫、研磨头以及研磨垫整理器，所述研磨头与所述研磨垫整理器分别设置于所述研磨垫上，所述研磨垫整理器采用如上所述的研磨垫整理器。

本实用新型提供的整理盘、研磨垫整理器及研磨装置，通过在整理盘的抗腐蚀层的外表面以及研磨晶体与金属设置层及抗腐蚀层之间的间隙涂敷黏附层，可以使得研磨晶体更加牢固的嵌设于金属设置层中，从而有效防止研磨晶体脱落，避免研磨垫和晶圆被脱落的研磨晶体刮伤，从而提高晶圆的研磨工艺的稳定性，最终提高产品良率。

附图说明

本实用新型的整理盘、研磨垫整理器及研磨装置由以下的实施例及附图给出。

图1是现有的整理盘的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例的研磨装置的结构示意图；

图3是本实用新型一实施例的研磨垫整理器的结构示意图；