[实用新型]气浴装置、真空抽排装置以及半导体设备

权利要求书

1.一种用于提高局部区域洁净度的气浴装置，其特征在于，包括：

洁净气源；

气浴板，其通过调压阀与所述洁净气源流体地连通，并排出来自所述洁净气源的气体，其中，所述气浴板包括：

进气口，其通过所述调压阀耦接到所述洁净气源；

第一稳压腔，其用于稳定由所述进气口输入的气体的流速和压强；以及

气浴孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向被洁净区域，以将所述气体由所述第一稳压腔排向所述被洁净区域，并在所述被洁净区域形成层流。

2.根据权利要求1所述的气浴装置，其特征在于，所述气浴板包括多个进气口，所述多个进气口被均匀地设置在所述第一稳压腔的一侧。

3.根据权利要求1所述的气浴装置，其特征在于，还包括抽气模块，被设置在所述被洁净区域远离所述气浴板的一侧，用于抽取由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体。

4.根据权利要求3所述的气浴装置，其特征在于，所述抽气模块包括：

真空源；

真空板，其与所述真空源流体地连通，用于将由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体引向所述真空源，其中，所述真空板包括：

真空孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向所述被洁净区域，以抽入由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体；

第二稳压腔，其用于稳定由所述真空孔板抽入的气体的流速和压强；以及

抽气口，其耦接到所述真空源。

5.根据权利要求4所述的气浴装置，其特征在于，所述抽气模块 还包括：真空过滤器，其设置在所述真空板与所述真空源之间。

6.根据权利要求4所述的气浴装置，其特征在于，所述真空板包括多个抽气口，所述多个抽气口被均匀地设置在所述第二稳压腔的一侧。

7.根据权利要求4所述的气浴装置，其特征在于，所述真空板的开孔与所述气浴板的开孔对称地分布在所述被洁净区域的两侧。

8.一种用于提高局部区域洁净度的真空抽排装置，其特征在于，包括：

真空源；

真空板，其与所述真空源流体地连通，用于将被洁净区域的气体引向所述真空源，其中，所述真空板包括：

真空孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向所述被洁净区域，以抽入所述被洁净区域的气体，并在所述被洁净区域形成层流；

第二稳压腔，其用于稳定由所述真空孔板抽入的气体的流速和压强；以及

抽气口，其耦接到所述真空源。

9.根据权利要求8所述的真空抽排装置，其特征在于，所述真空抽排装置还包括：真空过滤器，其设置在所述真空板与所述真空源之间。

10.根据权利要求8所述的真空抽排装置，其特征在于，所述真空板包括多个抽气口，所述多个抽气口被均匀地设置在所述第二稳压腔的一侧。

11.一种半导体设备，其特征在于，包括用于容纳半导体晶圆的腔室，以及根据权利要求1至7中任一项所述的气浴装置或根据权利要求8至10中任一项所述的真空抽排装置，其中所述气浴板和/或真空板被设置在所述腔室内。

12.根据权利要求11所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备是光学薄膜和关键尺寸测量设备。