[实用新型]气浴装置、真空抽排装置以及半导体设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及精密仪器设备领域，更具体地，本实用新型涉及一种用于提高半导体设备内部的局部区域洁净度的气浴装置及真空抽排装置。 

背景技术

随着半导体技术的迅速发展，半导体制程的关键尺寸(Critical Dimension)也越来越小。关键尺寸的减小要求半导体设备内部的腔室具备较高的洁净度，以避免灰尘或其他杂质颗粒污染半导体晶圆，从而影响产品良率与可靠性。 

为了提高半导体设备内部腔室的洁净度，半导体设备中通常采用了风机滤器机组(Fan Filter Units)。风机滤器机组将风机和过滤器，例如高效过滤器(HEPA)或超高效过滤器(ULPA)，组合在一起构成自身提供动力的末端净化设备。其中，风机从机组顶部将空气吸入并经过滤器过滤。过滤后的洁净空气在整个出风面以一定的风速均匀送出，从而达到净化半导体设备内部腔室的作用。 

然而，这种风机滤器机组只能够降低设备内部腔室的全局洁净度，对于腔室内的某些局部区域，由于各种因素，例如由于半导体设备内的部件遮挡，这些局部区域无法有效洁净，从而导致局部区域的洁净度较低，难以满足实际应用的需求。 

实用新型内容

可见，需要提供一种能够提高局部区域洁净度的装置。 

为了解决上述问题，在根据本实用新型一个方面的实施例中，提供了一种用于提高局部区域洁净度的气浴装置，包括：洁净气源；气浴板，其通过调压阀与所述洁净气源流体地连通，并排出来自所述洁净气源的气体，其中，所述气浴板包括：进气口，其通过所述调压阀 耦接到所述洁净气源；第一稳压腔，其用于稳定由所述进气口输入的气体的流速和压强；以及气浴孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向被洁净区域，以将所述气体由所述第一稳压腔排向所述被洁净区域，并在所述被洁净区域形成层流。 

在一个实施例中，所述气浴板包括多个进气口，所述多个进气口被均匀地设置在所述第一稳压腔的一侧。 

在一个实施例中，所述气浴装置还包括抽气模块，被设置在所述被洁净区域远离所述气浴板的一侧，用于抽取由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体。 

在一个实施例中，所述抽气模块包括：真空源；真空板，其与所述真空源流体地连通，用于将由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体引向所述真空源，其中，所述真空板包括：真空孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向所述被洁净区域，以抽入由所述气浴板排出的气体和/或被洁净区域的气体；第二稳压腔，其用于稳定由所述真空孔板抽入的气体的流速和压强；以及抽气口，其耦接到所述真空源。 

在一个实施例中，所述抽气模块还包括：真空过滤器，其设置在所述真空板与所述真空源之间。 

在一个实施例中，所述真空板包括多个抽气口，所述多个抽气口被均匀地设置在所述第二稳压腔的一侧。 

在一个实施例中，所述真空板的开孔与所述气浴板的开孔对称地分布在所述被洁净区域的两侧。 

在根据本实用新型另一个方面的实施例中，还提供了一种用于提高局部区域洁净度的真空抽排装置，包括：真空源；真空板，其与所述真空源流体地连通，用于将被洁净区域的气体引向所述真空源，其中，所述真空板包括：真空孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向所述被洁净区域，以抽入所述被洁净区域的气体，并在所述被洁净区域形成层流；第二稳压腔，其用于稳定由所述真空孔板抽入的气体的流速和压强；以及抽气口，其耦接到所述真空源。 

在一个实施例中，所述真空抽排装置还包括：真空过滤器，其设 置在所述真空板与所述真空源之间。 

在一个实施例中，所述真空板包括多个抽气口，所述多个抽气口被均匀地设置在所述第二稳压腔的一侧。 

在根据本实用新型又一方面的实施例中，还提供了一种半导体设备，包括用于容纳半导体晶圆的腔室，以及根据前述实施例中任一实施例所述的气浴装置或真空抽排装置，其中所述气浴板和/或真空板被设置在所述腔室内。 

在一个实施例中，所述半导体设备是光学薄膜和关键尺寸测量设备。 

与现有技术相比，在本实用新型的实施例中，被洁净区域的表面能够形成稳定的层流，该层流能够带动被洁净区域的杂质颗粒离开被洁净区域，从而提高了被洁净区域的洁净度。此外，本实用新型中的气浴装置或真空抽排装置能够根据被洁净区域表面形貌的不同而针对地设置其结构，因此，这种装置可以有效减少紊流的出现，因而特别适用于提高设备内部腔室的局部洁净度。 

本实用新型的以上特性及其他特性将在下文中的实施例部分进行明确地阐述。 

附图说明