[实用新型]一种磁控溅射靶与磁控溅射设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种磁控溅射靶与磁控溅射设备。 

背景技术

磁控溅射是一种应用广泛的物理镀膜工艺，在过去的几十年里发展快速，如今它已经成为在工业上进行广泛的沉积覆层的重要技术。磁控溅射技术在许多应用领域包括制造硬的、抗磨损的、低摩擦的、抗腐蚀的、装潢的以及光电学薄膜等方面具有重要的影响。 

磁控溅射系统的原理：异常辉光放电将充入真空室的氩气电离，大量电子在磁场的束缚下沿着磁力线方向做螺旋线运动，不断的撞击氩气分子，使之不断电离出大量的氩正离子和电子，氩正离子在电场的作用下加速轰击作为阴极的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子（或分子）沉积在基片上形成镀膜；所电离出的电子称为二次电子，它将继续与氩气分子碰撞，继续将其电离，从而维持靶材的溅射。一般现有的靶材采用矩形结构，如图1所示，为现有技术磁控溅射设备的结构侧视图，包括：背板1，以及设置于其上的靶材3，靶材3通过铟介质2焊接与背板上，但是由于靶材3为矩形靶材，厚度一致，由于阴极磁场分布不均匀，使用后的靶材3会在表面上形成类似“跑道”的轨迹，且高低不平，刻蚀率分布不均匀，并且个别点处易被击穿，击穿后就必须更换新的靶材，因此现有技术的靶材利用率较低，一般在20%～30%左右。 

目前，延长靶材寿命主要有两种方法，一种方法是增加靶材整体面板的厚度，如有12mm增加到14mm，16mm等，这种方法必然会导致靶材成本的增加，靶材寿命可以得到延长，而靶材利用率没有变化；另一种方法是调整磁场 分布，使边缘磁场强度降低，这样靶材被击穿的时间会得到延长，但是靶材利用率提升及其有限，而且磁场调整复杂多变，调整效果不佳。 

实用新型内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型的实施例提供了一种磁控溅射靶，可以有效提高靶材利用率，延长靶材寿命。 

本实用新型提供的一种磁控溅射靶，包括背板及设置在背板的靶材，所述靶材下方设有突起部，用以防止突起部对应的靶材部分被击穿，在所述背板的朝向所述靶材的表面上设有凹槽，所述凹槽与所述靶材上设置的突起部相匹配。 

优选的，所述突起部呈方形、圆形或六边形。 

优选的，所述靶材上设有的突起部的数量与所述凹槽的数量相同。 

优选的，所述靶材上设有的突起部的数量为四个。 

优选的，所述突起部沿所述靶材的周边设置。 

优选的，所述四个突起部分别设置于靶材的四个角上。 

优选的，所述突起部的高度为15～20mm。 

优选的，所述背板通过焊接介质与所述靶材焊接，所述突起部对应设置于所述凹槽内。 

本实用新型还提供一种磁控溅射设备，包括所述的磁控溅射靶，在所述靶材被击穿部位上设有突起部。 

本实用新型的有益效果如下： 

本实用新型实施例提供了一种磁控溅射靶与磁控溅射设备，在所述靶材被击穿部位上设有突起部，将靶材设置于背板上，以及在所述背板朝向所述靶材的表面上设有凹槽，所述凹槽与所述靶材上设置的突起部相匹配，将所述靶材的突起部对应设置于背板的凹槽内，解决了磁控溅射靶被击穿的而减少寿命的问题，以及磁控溅射过程中，由于个别点被击穿后需更换靶材造成的利用率低 的问题。 

附图说明

图1为现有技术中磁控溅射设备的结构示意图； 

图2为本实用新型实施例一靶材结构的俯视图； 

图3为本实用新型实施例一靶材结构的侧视图； 

图4为本实用新型实施例一背板结构的侧视图； 

图5为本实用新型实施例二靶材结构的俯视图； 

图6为本实用新型实施例三磁控溅射设备结构的俯视图； 

图7为本实用新型实施例四磁控溅射设备结构的俯视图； 

图8为图7的侧视图； 

图9为本实用新型实施例三靶材结构的俯视图。 

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种磁控溅射靶与磁控溅射设备，可以有效提高靶材利用率，延长靶材寿命。 

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型方案进行详细描述：