[实用新型]瓷套导体的均压屏蔽筒有效

专利信息
申请号: 201220070115.4 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN202473442U 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 李中华;张建磊;张志成;齐昌藩 申请(专利权)人: 山东泰开高压开关有限公司
主分类号: H01B17/58 分类号: H01B17/58;H01B17/26;H01B17/42;H05K9/00
代理公司: 泰安市泰昌专利事务所 37207 代理人: 姚德昌
地址: 271000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 导体 屏蔽
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种高压电器内绝缘技术领域,具体地说是一种瓷套导体的均压屏蔽筒。

背景技术

瓷套在电力系统和电气设备中应用十分的广泛,其作为一种电器内绝缘的容器,使内绝缘免遭周围环境因素的影响。随着电压等级增高,对内绝缘的要求也越来越高,理想状态的场强分布是均匀的,电位分布是线性的,但实际情况却不是如此,在接近瓷套下法兰处时,场强突然增大,沿瓷套纵向电位分布不均匀。由于中心导体与瓷套下法兰间电场分布的不均匀性较为突出,尤其在污秽严重的地区,此处发生放电的现象较多,导致绝缘性能降低。

发明内容

本实用新型为了克服上述缺陷提供了一种结构简单,改善电场分布,提高瓷套内绝缘性能的瓷套导体的均压屏蔽筒。

 本实用新型采用的技术方案是:一种瓷套导体的均压屏蔽筒,包括筒体,所述的筒体设置在瓷套内部下方,筒体的下部通过螺钉连接在下法兰上、中心导体的外侧,并与中心导体和瓷套之间均有间隙,所述的筒体上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。

本实用新型在下法兰上设置屏蔽筒,该屏蔽筒位于瓷套与中心导体之间,该部位是瓷套内部最容易产生电场分布不均匀的部位,该屏蔽筒将瓷套下端的棒-板形电场变为同轴圆柱形电场,沿瓷套场强分布不均匀性得到了改善,电位分布也靠近理性的线性特征,本实用新型均衡的电场分布,提高了瓷套的绝缘性能。

附图说明

图1为本实用新型的示意图。

具体实施方式

现结合附图对本实用新型作进一步描述,图1为本实用新型的一种实施例,包括筒体1,所述的筒体1设置在瓷套2内部下方,筒体1的下部通过螺钉连接在下法兰3上,同时筒体1设置在中心导体4的外侧,筒体1与中心导体4和瓷套2之间均有间隙。通常筒体1的内孔尺寸与下法兰3的内孔尺寸相同。所述的筒体1上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。

本实用新型的筒体1安装在下法兰3上,并位于瓷套2与中心导体4之间,该部位是瓷套2内部最容易产生电场分布不均匀的部位,屏蔽筒屏蔽了瓷套2与下法兰3的接触面,将瓷套2下端的棒-板形电场变为同轴圆柱形电场,屏蔽筒上部筒口的弧形凸缘具有良好的屏蔽和均匀电场的作用,使沿瓷套2场强分布不均匀性得到了改善,电位分布也靠近理性的线性特征,本实用新型均衡的电场分布,提高了瓷套2的绝缘性能。

本实用新型具有结构简单,改善电场分布,提高瓷套内绝缘性能的特点。

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