[实用新型]直立式电浆产生装置有效
申请号: | 201220077282.1 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN202750325U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 李炳寰;杨主见;林庆文;庄峻铭;叶昌鑫 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;C23C16/505 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 中国台湾台南市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 产生 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电浆产生装置,且特别涉及一种具均温效果的直立式电浆产生装置。
背景技术
在今日半导体制程技术中,电浆可进行非常有效的电浆辅助化学气相蒸镀(plasma-assisted chemical vapor deposition)、电浆辅助蚀刻(plasma-assisted etching)、以及电浆高分子化(plasma polymerization)等薄膜制程及蚀刻工作。而现今多种产业皆运用到电浆制程技术,如太阳能厂以及晶圆厂。例如太阳能电池中的传统微晶硅质薄膜太阳能电池的制程方式,即通常先以电浆增强型化学式气相沉积制程(Plasma enhance chemical vapor deposition,PECVD)中通入大量氢气与硅烷做稀释,再经由反应形成微晶硅质薄膜而提升其各项电特性以达到高效率产能的目标。而随着前述几种制程中电浆频率的提升,其镀膜速率也随之增加。然而当欲镀膜的基板面积增大时,在其上传递的电磁波将会因其相位变化造成电场的变动,相对地也影响了电浆的均匀性及镀膜的效率。此外,半导体镀膜设备目前主流为采用5.5代面板以上,且为降低设备所占体积,有别于习知的PECVD制程腔体皆采平躺式腔体,以直立式腔体作为PECVD的电浆产生腔体的设计方式已被提出。然而现今的直立式腔体在进行多片基板式电浆制程时,因其加热器配置空间限制,易使加热不均匀的现象。为了提高大面积直立式腔体的基板镀膜均匀性,需提供一均匀加热环境以克服先前技术的缺点。
参照中国专利201183822Y号,标题为薄膜沉积装置,其公开了一种多片基板式直立电浆产生装置,该装置可以以直立式腔体进行至少两基板的电浆制程,具有节省成本的功效。然而该专利并无详加公开加热方法及加热器配置方式,且由该专利所公开的腔体架构得知,加热器仅可配置于腔体下方及侧边,因此易造成位于中间侧的电极板温度分布难与邻近加热器的电极板一致。
发明内容
针对现有技术存在的缺陷和不足,本实用新型的主要目的在于提供一种具均温效果的直立式电浆产生装置,通过该装置可达到均匀加热的功效。
为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种具均温效果的直立式电浆产生装置,包括:一第一腔体;至少两个第二腔体;一第一加热组件;一第二加热组件;至少两个电极板;以及至少一射频电流源。其中,第一腔体的外表面电性接地,且具有一第一进气口及一第一出气口,其中第一进气口用以通入制程气体,第一出气口则用以排出制程气体;第二腔体配置于第一腔体的内部,其具有一第二进气口及一第二出气口,其中第二进气口通过第一进气口引入制程气体,该第二出气口则通过第一出气口排出制程气体;第一加热组件配置于第一腔体与第二腔体之间,用以加热第二腔体的一第一表面;第二加热组件配置于第一腔体与第二腔体之间,用以加热第二腔体的一第二表面;电极板配置于第二腔体的内部,用以呈载至少一制程基板;以及射频电流源设置于第一腔体外部,电性连接电极板,用以提供一射频电流以产生电浆于第二腔体内。
根据本实用新型的一特征,第一加热组件与第二加热组件的表面温度可达到1000℃,由一条状加热丝所形成;条状加热丝弯折。
根据本实用新型的另一特征,屏蔽单元下方还可包括一第三加热组件。
综上所知,本实用新型的具均温效果电浆的直立式电浆产生装置具有以下功效:
1.与传统直立式腔体相比,可在并排多片电极板的情况下,同时加热位于中间的电极片,亦即具有均匀加热的功效;
2.本实用新型提供一均温的环境条件,使大面积基板上各处分布的温度皆相同,以在电极板上产生均匀的电浆分布,进而使电浆产生装置可完成大面积基板的均匀镀膜;以及
3.屏蔽单元可有效阻挡多片生产时,各电浆制程区域间的射频电场互扰,可提高电浆制程的稳定性。
为让本实用新型的目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举数个较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
为让本实用新型的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
图1为本实用新型的电浆产生装置的第一实施例示意图。
图2为本实用新型的第一加热组件与第二加热组件的结构示意图。
图3为本实用新型的第二实施例示意图。
图4为本实用新型的第三实施例示意图。
【主要组件符号说明】
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