[实用新型]3900纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220091297.3 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202275176U | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 3900 纳米 通红 滤光 | ||
1.一种3900纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2)、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3),基板(2)位于第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)之间,其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列142nm厚度的SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、225nm厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、262nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、124nm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、944nm厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、954nm厚度的SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层;第二镀膜层(3)包含由内到外依次排列的547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层。
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