[实用新型]3900纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220091297.3 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202275176U | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 3900 纳米 通红 滤光 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种滤光片,特别是3900纳米带通红外滤光片。
背景技术
3900纳米红外波段是大气窗口中为数不多的几乎没有吸收的波段。故3900纳米带通红外滤光片,主要用于气体测试过程中作为比较基准,以精确测量和计算所测气体的实际浓度,但是目前市场上的3900纳米带通红外滤光片往往信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的3900纳米带通红外滤光片。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的3900纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层包含由内到外依次排列142nm厚度的SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、225nm厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、262nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、124nm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、944nm厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、954nm厚度的SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层;第二镀膜层包含由内到外依次排列的547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型得到的3900纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为3900±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,为精确测量所需测量的气体提供了基本保证。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:
如图1所示,本实施例提供的3900纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板2、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层1和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层3,基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,第一镀膜层1包含由内到外依次排列142nm厚度的SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、225nm厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、262nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、124nm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、944nm厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、954nm厚度的SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层;第二镀膜层包含由内到外依次排列的547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层。
如图2所示,本实施例得到的3900纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为3900±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州麦乐克电子科技有限公司,未经杭州麦乐克电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220091297.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种喷砂机
- 下一篇:一种圆孔加工用万向珩磨用工作平台