[实用新型]喷嘴固定座有效
申请号: | 201220093233.7 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN202473876U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 谢玲艳 | 申请(专利权)人: | 余姚市士森铜材厂 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 胡敏 |
地址: | 315400 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 固定 | ||
1.一种喷嘴固定座,其包括基座和覆盖件,所述覆盖件开设有通孔,所述基座收容于所述通孔内,所述基座上开设有贯穿该基座的主气孔,其特征在于,所述基座与所述覆盖件之间形成有气隙,所述基座上还开设有副气孔,所述副气孔与所述气隙连通。
2.如权利要求1所述的喷嘴固定座,其特征在于,所述基座包括基座本体和设于所述基座本体上的凸台,所述副气孔位于所述凸台一侧并贯穿所述基座本体。
3.如权利要求2所述的喷嘴固定座,其特征在于,所述凸台边缘具有倒角,所述倒角与所述覆盖件内壁之间形成所述气隙。
4.如权利要求2所述的喷嘴固定座,其特征在于,所述基座本体和凸台的外周横截面均呈圆形,所述通孔的横截面也呈圆形。
5.如权利要求2所述的喷嘴固定座,其特征在于,所述覆盖件的内壁一端具有导向角,所述通孔靠近所述导向角一端的孔径小于所述基座本体的外径。
6.如权利要求3所述的喷嘴固定座,其特征在于,所述覆盖件靠近所述倒角的内壁上形成有导流角,所述倒角与水平面成第一夹角,所述导流角与水平面成第二夹角,所述第一夹角大于所述第二夹角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造