[实用新型]一种湿硅片自动分片装置有效
申请号: | 201220104795.7 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN202474010U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 刘华;张存新;李松林;郝刚;刘俊 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 自动 分片 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏或半导体领域,提供了一种湿硅片自动分片装置。
背景技术
在光伏或半导体领域,将硅块加工成硅片大多是采用多线切割工艺,由于该工艺是采用钢线带动碳化硅磨料来进行切割,所以在切割完成后硅片上会附着很多砂浆,必须通过清洗才能将这些砂浆去除。在清洗之间,需要先将这些硅片经过简单的处理,比如脱胶、预清洗去除硅片表面的绞丝和砂浆等杂质,最后再将硅片插入硅片篮,采用酸液、碱液对硅片进行超声清洗。目前,大多生产硅片的企业都是采用手工方式分片,然后将硅片逐个插入硅片篮,由于硅片之间会残留一些砂浆,加上水的作用力,硅片之间会吸附的很紧,而手工方式分片由于用力不均,因此很容易将硅片弄碎,分片效率也较低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种湿硅片自动分片装置,用于解决现有技术中手工方式分片造成的碎片率高、分片效率低的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种湿硅片自动分片装置,包括一装有水的水箱,所述水箱内设有一硅片篮以及一位于所述硅片篮一侧的升降机构,所述硅片篮用于倾斜放置若干硅片,所述升降机构与一设于所述水箱外的第一电机连接,所述第一电机与一控制模块连接,所述升降机构由所述第一电机驱动使得所述硅片篮中的硅片在竖直方向上下运动;
所述水箱上方设有一与所述硅片平行设置的吸盘,所述吸盘上设有若干气孔和水孔,所述吸盘通过一支架滑动设于一导轨上,所述支架由一气缸驱动在所述导轨上滑动,所述气缸与所述控制模块连接;
所述水箱内设有一与所述硅片篮顶部平齐的第一滚轮,所述第一滚轮位于所述吸盘运动方向的一侧,所述第一滚轮由一设于所述水箱外的第二电机驱动旋转,所述第二电机与所述控制模块连接,所述第一滚轮的转动方向与所述吸盘吸附到硅片后在所述导轨上的运动方向相反,所述吸盘吸附的最上面的硅片下方粘结的一个或多个硅片由所述第一滚轮的转动驱回所述硅片篮内;
所述水箱右侧设有一传送带,所述传送带由一第三电机驱动水平移动,所述第三电机与所述控制模块连接,所述传送带左端上方固设有一第二滚轮;
所述水箱通过一第一水管与一水泵连接,所述水泵通过一减压阀与一第二水管连接,所述第二水管上设有一开关阀,所述水泵与所述控制模块连接,所述第二水管位于所述传送带上方,且所述第二水管与所述吸盘的水孔连通。
具体地,所述升降机构上的硅片的倾斜角度为1~45°。
具体地,所述导轨倾斜设置,所述导轨的倾斜角度与所述硅片的倾斜角度相同。
进一步地,所述水箱上部设有一浸没于水中的超声波发生器。
具体地,所述开关阀为电磁阀。
进一步地,所述传动带下方设有一收集箱。
进一步地,所述吸盘表面设有若干均匀分布的滚花。
进一步地,所述吸盘上开设有若干均匀分布的环形凹槽,所述气孔和水孔位于所述环形凹槽内。
本实用新型提供的湿硅片自动分片装置,通过升降机构、吸盘、第一滚轮、第二滚轮和水泵等部件的配合,实现了湿硅片的自动分片,提高了分片效率,降低了硅片的碎片率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的湿硅片自动分片装置的示意图。
图2是本实用新型实施例提供的吸盘的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1和图2所示,本实用新型实施例提供的一种湿硅片自动分片装置,包括一装有水的水箱1,水箱1内设有一硅片篮2以及一位于硅片篮2一侧的升降机构3,硅片篮2用于倾斜放置若干硅片4,硅片的倾斜角度为1~45°,升降机构3与一设于水箱1外的第一电机5连接,第一电机5与一控制模块(未示出)连接,该控制模块用于控制第一电机5启动和停止,升降机构3由第一电机5驱动使得硅片篮2中的硅片4在竖直方向上下运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的