[实用新型]一种光电探测器、光电集成电路及光通信系统

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器由场效应晶体管改制而成，包括衬底、于所述衬底边角处形成的源区和漏区、于所述衬底表面形成的栅区以及于所述源区和漏区表面形成的电极，所述栅区作为入射光的吸收区。

2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底为Si衬底或SOI衬底，所述栅区为Ge栅区。

3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底为P型掺杂，掺杂浓度为10¹⁵～10¹⁶/cm³。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述场效应晶体管的源区和漏区为N型掺杂，掺杂浓度为10¹⁹～10²⁰/cm³，掺杂深度为100～300nm。

5.如权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述电极为与源区/漏区欧姆接触的金属电极。

6.一种光电集成电路，其特征在于，所述光电集成电路采用如权利要求1～5中任一项所述的光电探测器。

7.一种光通信系统，其特征在于，所述光通信系统包括如权利要求1～5中任一项所述的光电探测器。